超导Nb薄膜的RIE刻蚀与表征

发布时间：2017-10-15 01:35

  本文关键词：超导Nb薄膜的RIE刻蚀与表征

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【摘要】：反应离子刻蚀(RIE)是超导器件制备中重要工艺流程之一.本文介绍了利用RIE对超导Nb薄膜进行刻蚀时通过调节刻蚀参数来调控薄膜侧壁的边缘倾角.由于Nb薄膜刻蚀的边缘倾角主要取决于Nb薄膜和光刻胶的刻蚀速率比,因此我们通过在RIE反应气体CF_4中添加不同比例的氧气,同时调节流量、功率等其他刻蚀参数,获得不同的刻蚀速率和边缘倾角.我们利用SEM对刻蚀后的Nb线条进行表征,从而获得边缘倾角随不同氧气配比的变化曲线.本工作对于Nb基SQUID等多层平面器件的制备具有较大意义.通过控制Nb薄膜的边缘倾角可以改善层间线条交叠部分的有效过渡,而较陡直的超导薄膜边缘有利于降低磁通钉扎几率,从而改善SQUID低频噪声性能.
【作者单位】： 中国科学院上海微系统与信息技术研究所;上海科技大学物质科学与技术学院;
【关键词】： 超导 铌薄膜 反应离子刻蚀
【基金】：中国科学院战略性先导科技专项(B类)资助(批准号:XDB04010100) 上海市自然科学基金资助(批准号:15ZR1447400)资助的课题~~
【分类号】：TM26
【正文快照】： 1 弓|言 铌(Nb)在元素超导体中具有最高的超导转变温度(?9.2K),而且具有较长的相干长度(?40nm)和较短的穿透深度(?85nm),因此被广泛的应用于低温约瑟夫森结、SQUID等超导电子器件中?Nb薄膜通常利用磁控溅射的方式在Si等衬底上来制备.目前,最为通用的Nb薄膜的加工手段是利用反，

本文编号：1034334