激光频率对激光溅射法制备多晶硅薄膜压阻特性的研究

发布时间：2017-10-18 02:46

  本文关键词：激光频率对激光溅射法制备多晶硅薄膜压阻特性的研究

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【摘要】：采用脉冲激光溅射法制备硼掺杂多晶硅薄膜,研究了不同频率下多晶硅薄膜的晶粒尺寸以及压阻性能。用扫描电子显微镜表征在不同的激光频率沉积的多晶硅薄膜的表面形貌,以及悬臂梁实验测定在不同的激光频率下沉积的多晶硅薄膜的应变系数。结果表明溅射频率对激光溅射法制备的硼掺杂多晶硅薄膜的晶粒尺寸和压阻性能都有着明显的影响,当频率为3 Hz时多晶硅薄膜的晶粒尺寸较大,约为35~65μm,并且多晶硅薄膜有着良好的压阻性能,其应变系数为36.8,电阻的温度系数为-0.036%/℃,应变系数的温度系数为-0.09%/℃。
【作者单位】： 大连大学表面工程中心;
【关键词】： 脉冲激光溅射 激光频率 多晶硅薄膜 应变系数 晶粒尺寸
【基金】：金州新区科技计划高新技术研究开发计划·培育专项(2013-GX1-002)
【分类号】：TB383.2
【正文快照】： 作为压阻传感器的一种,多晶硅压力传感器因其成本低、量程宽、抗冲击和使用温度高而在近些年迅速发展成一种物美价廉的传感器[1-4]。但是如何在保证传感器灵敏度的同时更进一步提高传感器的高温特性一直是实现多晶硅压力传感器性能优化有待解决的问题[5]。通过大量的实验研究,

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本文编号：1052514