氧化镍基电阻存储薄膜的电学性能研究

发布时间：2017-10-30 13:51

  本文关键词：氧化镍基电阻存储薄膜的电学性能研究

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【摘要】：以醋酸镍为原料,乙二醇甲醚为溶剂,苯酰丙酮为化学修饰剂,采用溶胶-凝胶法与化学修饰法相结合的方法制备感光性氧化镍基溶胶及凝胶膜,凝胶膜进行热处理后,进行电学性能测试,结果表明在不同热处理温度下的薄膜都具有明显的电阻开关特性,且随着热处理温度的升高,薄膜的复位电压有变化,但对开关比没有明显的影响,其开关比(Roff/Ron)的数量级都为103。当热处理温度为300℃时,Ni Ox薄膜的电阻开关性能最优。
【作者单位】： 西安航空职业技术学院;
【关键词】： 溶胶-凝胶法 电阻开关性能 热处理温度
【分类号】：TB383.2
【正文快照】： 随着智能手机、平板电脑及手提电脑等便携式个人设备的逐渐普及,非挥发性存储器在半导体行业中发挥的作用越来越大。这样就对其的高密度、高速度、低功耗等特性提出了更高的要求。由于传统的FLASH存储器缩放技术日益接近其物理极限而带来的漏电流问题影响其进一步发展,于是各，

本文编号：1117848