碳纳米管场发射烧毁机理研究

发布时间：2017-11-05 05:06

  本文关键词：碳纳米管场发射烧毁机理研究

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【摘要】：在碳纳米管场发射过程中,碳纳米管烧毁现象一直是影响碳纳米管场发射能力及稳定性的重要因素。目前,对碳纳米管烧毁机理研究较少。本文采用化学气相沉积原位生长技术制备了不同形貌的碳纳米管阵列。通过对不同形貌的碳纳米管场发射测试过程及碳纳米管烧毁前后形貌的研究,得出碳纳米管烧毁机理主要有三种。一是碳纳米管高度不均匀和碳纳米管本身的缺陷等原因引起了电场局域现象,这种局域场强使得碳纳米管局域温度过高而引起碳纳米管烧毁;二是碳纳米管吸附和脱附造成碳纳米管烧毁;三是碳纳米管与基片间存在较高的接触电阻而产生较高的焦耳热,使得碳纳米管烧毁。本文不仅给出了碳纳米管烧毁机理,还给出了相应的解决方案。这对碳纳米管场发射阴极的研究具有一定的意义。
【作者单位】： 电磁防护技术山西省重点实验室;太原科技大学应用科学学院;山西大学化学与化工学院;
【基金】：山西省青年创新基金项目(No.2013021004-3,No.2014021020-1) 山西省自然科学基金项目(批准号:2014011049-26)资助项目
【分类号】：TB383.1
【正文快照】： 碳纳米管基于其较好的化学稳定性、力学性能、电学性能和机械性能,不仅在电子器件和电路等方面具有较大的应用潜力,而且在场发射方面也具有较好的应用前景[1_2]。与传统的场发射源相比,碳纳米管场发射具有较大的电流密度、低阈值场强、室温发射等优越的性能,这使其在器件应用

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【相似文献】

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本文编号：1142706