GaN衬底掺杂模式对ZnO纳米棒光学性质的影响

发布时间：2017-11-06 04:20

  本文关键词：GaN衬底掺杂模式对ZnO纳米棒光学性质的影响

  更多相关文章： ZnO纳米棒 水热法 GaN衬底 光学性能

【摘要】：本文通过水热法在u-GaN(undoped GaN)/Al_2O_3和p-GaN/Al_2O_3衬底上制备了ZnO纳米棒阵列。利用X射线衍射仪(XRD)、高分辨X射线衍射仪(HRXRD)、场发射扫描电子显微镜(FESEM)、原子力显微镜(AFM)和光致发光谱(PL)对样品进行表征,研究在无种子层和金属催化剂情况下u-GaN/Al_2O_3和p-GaN/Al_2O_3衬底对ZnO纳米棒生长的影响。结果表明,在u-GaN和p-GaN上生长的ZnO纳米棒均为六方纤锌矿结构。在p-GaN上生长的ZnO纳米棒直径较细且密度更大,这可能是由于p-GaN界面比较粗糙,界面能量较大,为ZnO的生长提供了更多的形核区域;与生长在u-GaN上的ZnO纳米棒阵列相比,p-GaN上所沉积的ZnO纳米棒在378.3 nm处有一个较强的近带边发射峰,且峰强比较大,说明在p-GaN上所制备的ZnO纳米棒的晶体质量和光学性能更好。
【作者单位】： 太原理工大学新材料界面科学与工程教育部重点实验室;太原理工大学新材料工程技术研究中心;
【基金】：国家自然科学基金(61404089) 山西省自然科学基金(2014011016-6) 山西省基础研究项目(2015021103) 山西省青年科技研究基金(2014021019-1)
【分类号】：TB383.1
【正文快照】： (Received 21 December 2015,accepted 24 February 2015)1引言一维纳米材料,例如纳米棒、纳米线和纳米带,在电子器件和光电设备方面具有广泛的应用前景[1,2]。其中,氧化锌纳米棒阵列由于其禁带宽度(3.37 e V)和激子束缚能(60 me V)较大[3],在光发射技术、场发射技术、场效应

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2 ;松下电器采用SiC基板开发出新型GaN系高频晶体管[N];中国有色金属报;2003年

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