基于田口法的在玻璃基板上溅射ITO薄膜制作工艺研究
本文关键词:基于田口法的在玻璃基板上溅射ITO薄膜制作工艺研究
【摘要】:利用射频磁控溅射方式将氧化铟锡(ITO)沉积在玻璃基板上,设定温度、压力、溅射功率为主要参数,每个参数均有3个水平,运用田口实验方法设计L9直交表,质量目标设定为方阻,以变异数分析得到的结果作为最优工艺参数条件,并测量膜厚、透光率。以X光衍射仪分析结晶状况、SEM观察结构及生长型态来了解其性质。结果显示功率对方阻的影响最大,贡献度占91%,而功率大,薄膜厚度越厚,晶粒粒径较大,结晶性较强,方阻减小及透过率降低。由于结晶性好也提高透光率,膜厚100~300nm时,透光率80%以上。最优工艺参数为温度230℃、功率300 W及压力在1.5mTorr下有方阻最小。
【作者单位】: 福建信息职业技术学院机电工程系;高雄应用科技大学模具工程系;
【基金】:福建省中青年教师教育科研项目(JA15682)
【分类号】:TB383.2
【正文快照】: 0前言ITO(Indium Tin Oxide)具有立方体铁锰矿结构,禁带宽度为3.5eV[1],因其具有易于光蚀刻加工、可见光区高的透光率及低的电阻率等优点,其在日常的电子产品中被广泛运用。例如:液晶显示器导电薄膜、太阳能薄膜电池、有机发光二极管及抗静电涂层等,还有其他应用在不断被开发
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,本文编号:1250581
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