PbS微纳米线的力电学性能研究

发布时间：2018-01-09 02:32

  本文关键词：PbS微纳米线的力电学性能研究　出处：《南昌大学》2015年硕士论文　论文类型：学位论文

  更多相关文章： PbS微纳米线 压阻开关效应(应力开关效应) 电阻开关 阻变式存储器 压阻式存储器(应力存储器) 非易失性存储器

【摘要】：目前,半导体领域中,已有的半导体材料和技术的研究已经达到了物理临界点,新的技术突破迫在眉睫。近年来,在非易失性随机存取存储器(NRAM)领域中发展微纳米级的金属-半导体-金属(MSM)体系已成为一项非常重要的技术,并越来越受到各界的关注。PbS是一种重要的半导体材料,由于其带隙宽度是0.41eV,并且有较大的激子波尔半径(18nm),所以PbS有很多优良的光学和电学性能,被广泛的应用于非线性光学器件、红外探测器和显示器中。本实验中,我们将PbS微纳米线应用到阻变式存储器和压阻式存储器中,并详细的研究了他们的电阻开关和存储特性。首先将单根PbS微纳米线放在塑料基底上,然后用银浆在两端焊上电极,接上铜导线,就制得了阻变式存储器件。压阻式存储器件则需另外均匀的覆盖一层PDMS。实验中,通过在器件Ag和PbS的界面处退火来研究热处理对开关效应和存储效应的影响。研究表明,器件未退火时,其表现出一个明显的对称式电阻开关特性,并且I-V曲线有较大的迟滞,这说明器件有很好的非易失性数据存储能力。而器件一端退火时,却表现出典型的双极性电阻开关效应,当在器件未退火端加上一个较小的负偏压时,器件基本不导通。随着负偏压的增大,器件电流在阀值电压(0.3V-0.8V)下会突然增大。另外,当器件两端都退火时,其表现出类电阻开关效应,并且I-V曲线的迟滞性较小,说明器件的数据存储能力很弱。此外,我们还研究了器件的压阻开关和压阻式存储性能。当器件被加上一个应变为-0.26%的压应力时,其电阻从17 M?减小到18 K?,表现出很大的off/on电阻比(944)和应变系数(3.6×105)。当器件被加上一个应变为0.26%的张应力时,其电阻从73 k?增加到97 M?,同样有很高的off/on电阻比(1328)和应变系数(5.1×105)。
[Abstract]:In the field of semiconductor , the research of semiconductor materials and technologies has reached the physical critical point . In recent years , the development of micro - nano metal - semiconductor - metal ( MSM ) systems in the field of non - volatile random access memory ( NRAM ) has become a very important technology .

【学位授予单位】：南昌大学
【学位级别】：硕士
【学位授予年份】：2015
【分类号】：O614.433;TB383.1

【共引文献】

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本文编号：1399686