半导体光催化材料中掺杂和耦合机理的第一性原理研究
本文关键词:半导体光催化材料中掺杂和耦合机理的第一性原理研究,由笔耕文化传播整理发布。
博硕论文分类列表
马列主义、毛泽东思想 艺术
数理科学和化学 文学
天文学、地理科学 军事
文化科学、教育体育 经济
自然科学总论 哲学
查看更多分类
论文搜索
相关论文
液相与界面中分子间相互作用的理论
Rh(Ⅲ)催化C-H活化官能化反
叔胺催化的串联交叉Rauhut-
锌基气凝胶的研究
氧化铈/金属倒载模型催化剂的制备
钯纳米晶体的可控合成及其催化性能
核—壳结构金属—有机骨架催化材料
金配合物催化炔基官能化促发的不对
MHC I类分子递呈修饰后抗原的
肝脏诱导系统性免疫耐受及其逆转研
肾血管性高血压发病机理的血流动力
纳米载体输送小干扰RNA克服系统
全球恐怖袭击时空演变及风险分析研
群体性突发事件中群体行为演化机理
无基底焦平面阵列的红外成像优化及
基于流媒体的网络隐信道研究
LTE-A异构网络中的干扰协调机
量子密钥分发实时处理技术研究
空间光通信系统中量子接收机的设计
车联网中面向安全应用的消息传输问
基于系统时空行为特征的内存功耗优
科目列表
博士论文
半导体光催化材料中掺杂和耦合机理的第一性原理研究
论文目录
摘要第1-9页
ABSTRACT第9-12页
目录第12-15页
第1章 密度泛函理论简介第15-27页
·波函数方法第15-17页
·玻恩-奥本海默近似第15-16页
·单电子近似第16-17页
·密度泛函理论第17-20页
·Thomas-Fermi定理第18页
·Hohenberg-Kohn定理第18-19页
·Kohn-Sham方程第19-20页
·交换相关能量泛函第20-23页
·局域(自旋)密度近似(L(S)DA)第21页
·广义梯度近似(GGA)第21-22页
·杂化密度泛函第22-23页
·DFT+U第23页
·DFT+D2第23页
·基于密度泛函理论的常用计算软件包第23-24页
·参考文献第24-27页
第2章 太阳能光催化制氢研究进展第27-57页
·光催化制氢基本概念第28-31页
·光催化制氢的一般机理第28-29页
·光催化制氢的基本过程第29-31页
·紫外光响应光催化剂第31页
·半导体光催化剂能带调控第31-40页
·金属掺杂、非金属掺杂,金属/非金属共掺杂第31-36页
·固溶体光催化剂第36-37页
·染料敏化第37-38页
·具有可见光响应的新型光催化剂第38-40页
·促进光生电荷有效分离的方法第40-43页
·助催化剂第40-42页
·半导体复合体系-耦合第42-43页
·参考文献第43-57页
第3章 锐钛矿TiO_2体系的n-p等价共掺杂研究第57-87页
·锐钛矿TiO_2体系的n-p共掺杂研究进展第57-60页
·锐钛矿TiO_2体相的(Rh+F)共掺杂第60-72页
·研究背景与动机第60-62页
·计算方法与模型第62-63页
·锐钛矿TiO_2体相的(Rh+F)共掺杂效应第63-72页
·本部分小结第72页
·锐钛矿TiO_2(101)表面的(Rh+F)共掺杂第72-84页
·研究背景第72-75页
·计算方法与模型第75-76页
·锐钛矿TiO_2(101)表面的(Rh+F)共掺杂效应第76-83页
·本部分小结第83-84页
·参考文献第84-87页
第4章 锐钛矿TiO_2体系的双空穴共掺杂研究第87-105页
·锐钛矿TiO_2体系的非金属双空穴研究进展第87-88页
·计算模型和方法第88-89页
·(Sc+P)和(In+P)共掺杂锐钛矿TiO_2的结果讨论与分析第89-102页
·双空穴掺杂体系的吸收光谱第90-91页
·体系的电子结构第91-93页
·双空缺掺杂体系的能带匹配情况第93页
·共掺杂引起的几何形变第93-95页
·共掺体系中P-O键第95-96页
·金属协助的P-O耦合机制第96页
·杂质的形成能及其结合能第96-98页
·O_2的温度,平动熵和分压对形成能的影响第98-100页
·氧空穴(O_v)对(Sc+P)共掺杂的影响第100-101页
·Sc和P随机掺杂TiO_2的情况第101-102页
·小结第102页
·参考文献第102-105页
第5章 g-C_3N_4/MoS_2复合体系的光响应机理研究第105-125页
·g-C_3N_4研究概况第105-108页
·计算方法和细节第108-110页
·g-C_3N_4/MoS_2复合体系的光响应机理第110-119页
·g-C_3N_4和MoS_2单层自身的几何构型和电子性质第110-111页
·复合体系的几何结构第111-112页
·复合体系的电子性质第112-114页
·g-C_3N_4和MoS_2之间的电荷转移情况第114-115页
·复合体系的光学性质第115页
·g-C_3N_4/MoS_2复合体系的光催化机理第115-117页
·双层g-C_3N_4的几何结构和电子性质第117-118页
·MoS_2表面负载双层g-C_3N_4的电子结构及光学性质第118-119页
·本章小结第119-120页
·参考文献第120-125页
第6章 单层Ⅱ-Ⅵ金属硫化物光催化剂的理论研究第125-135页
·研究动机第125-126页
·计算模型和方法第126-127页
·结果讨论与分析第127-131页
·小结第131-132页
·参考文献第132-135页
致谢第135-137页
在读期间发表的学术论文与取得的研究成果第137-138页
论文编号BS2138953,这篇论文共138页
会员购买按0.35元/页下载,共需支付48.3元。 直接购买按0.5元/页下载,共需要支付69元 。
您可能感兴趣的论文
版权申明:本目录由网站制作,本站并未收录原文,如果您是作者,,需要删除本篇论文目录请通过QQ或其它联系方式告知我们,我们承诺24小时内删除。
本文关键词:半导体光催化材料中掺杂和耦合机理的第一性原理研究,由笔耕文化传播整理发布。
本文编号:140608
本文链接:https://www.wllwen.com/kejilunwen/cailiaohuaxuelunwen/140608.html