纳米MgO晶体制备及其二次电子发射系数理论研究

发布时间：2018-01-14 17:25

  本文关键词：纳米MgO晶体制备及其二次电子发射系数理论研究　出处：《液晶与显示》2017年06期 　论文类型：期刊论文

  更多相关文章： MgO晶体 二次电子发射系数 第一性原理 直接沉淀法

【摘要】：为了研究MgO晶体和二次电子发射效率间的关系,分析了直接沉淀镁盐法生成Mg(OH)_2以及三段式温度煅烧Mg(OH)_2制备MgO晶体的过程,并使用扫描电镜和XRD对制成的MgO晶体进行了表征。在此基础上,采用第一性原理对MgO晶体的能带结构和态密度进行了计算,分析了晶体表面的结晶取向对MgO二次电子发射系数的影响。实验结果表明,本方法制备的MgO为立方晶体,且晶粒尺寸均匀分布在40.65nm附近,晶面取向为(200)、(111)、(220),并沿(200)取向择优生长。常见的(110)、(100)和(111)三种晶面取向中,表面(110)取向的MgO晶体禁带宽度最低,材料表面的二次电子发射系数相对较高。
[Abstract]:In order to study the relationship between MgO crystal and secondary electron emission efficiency. The formation of Mg(OH)_2 by direct precipitation of magnesium salt and the preparation of MgO crystals by calcined Mg(OH)_2 at three-stage temperature were analyzed. The MgO crystal was characterized by scanning electron microscope and XRD. On this basis, the energy band structure and density of states of MgO crystal were calculated by first principle. The effect of crystal orientation on the secondary electron emission coefficient of MgO was analyzed. The experimental results show that the MgO prepared by this method is cubic crystal and the grain size is distributed uniformly around 40.65 nm. The orientation of the crystal plane is in the order of 200 ~ (1) ~ (11 ~ (1)) ~ (20 ~ (20)), and the preferred growth is along the direction of ~ (200). The common orientation of the crystal plane is in the three kinds of crystal plane orientations, I. e., (110) and ((111)). The band gap of MgO crystal with surface orientation is the lowest, and the secondary electron emission coefficient is relatively high.
【作者单位】： 北方民族大学电气信息工程学院;宁夏大学能源化工重点实验室;
【基金】：国家自然科学基金项目(No.61461001) 宁夏自然科学基金重点项目(No.NZ13083)~~
【分类号】：O614.22;TB383.1
【正文快照】： MgO是一种金属氧化物材料,具有较好的绝缘性、化学惰性和抗溅射能力。由于MgO本身二次电子发射系数高、工作性能稳定、可承受大的电流密度、且工艺过程简单,被广泛应用于二次电子发射极性材料,是平板显示器件[1]以及光电子分析探测仪器的重要部件[2-3]。在相关研究领域中,MgO

【相似文献】

相关期刊论文 前1条

1 殷明志;姚熹;;MgO薄膜的制备和二次电子发射性能的表征[J];西北工业大学学报;2006年04期

，

本文编号：1424576