透明导电氧化物薄膜的抗伽马辐照性能研究
本文关键词： InO W薄膜 InO Sn薄膜 伽马射线 光电性能 正电子湮没 出处：《中国空间科学技术》2017年04期 论文类型：期刊论文
【摘要】：利用射频磁控溅射法制备出具有良好光电性能的In_2O_3:W(IWO)薄膜,与购置的In_2O_3:Sn(ITO)薄膜一起,在伽马射线地面加速模拟试验设备中进行辐照试验。对辐照前后两种薄膜样品的微观结构、表面形貌、光电性能和元素价态进行对比分析,并用正电子湮没方法研究辐照前后的缺陷情况。结果表明,伽马射线辐照可引起ITO及IWO薄膜样品中氧空位缺陷的少量增加,且缺陷主要产生于薄膜表层及薄膜与基底界面结合处。高能伽马光子作用于透明导电氧化物薄膜,主要通过破坏其内部结合能较低的化学键,并实现薄膜系统中元素之间的选择性重组。ITO与IWO具有良好的抗伽马辐照性能,IWO相比ITO更适合于抗伽马辐照相关应用。
[Abstract]:Prepared with good photoelectric properties of In_2O_3:W by RF magnetron sputtering (IWO) thin films, and the purchase of the In_2O_3:Sn (ITO) film, the gamma ray irradiation ground acceleration simulation test device. The microstructure of two kinds of thin film samples before and after irradiation the surface morphology, optical properties and elemental valence analysis, defects and studied by positron annihilation technique before and after irradiation. The results showed that gamma ray irradiation can cause a small amount of oxygen vacancies in ITO and IWO films increased, and the defects mainly occurred in the surface of the films and film and substrate interface. The high-energy gamma photon acting on the transparent conductive oxide films, mainly through its internal damage chemical bond energy is low, and the realization of the recombinant.ITO and IWO selectivity between the elements in the film system has good performance of anti gamma irradiation, compared to IWO ITO It is more suitable for gamma irradiation related applications.
【作者单位】： 北京航空航天大学物理科学与核能工程学院;
【基金】：国家自然科学基金(50902006) 航空科学基金(2012ZF51006)
【分类号】：TB383.2
【正文快照】： 引用格式:欧阳琪,王文文,郝维昌.透明导电氧化物薄膜的抗伽马辐照性能研究[J].中国空间科学技术,2017,37(4):75-83.OUYANG Q,WANG W W,HAO W C.Research on gamma rays irradiation resistance properties of transparentconductive oxide thin films[J].Chinese Space Scienc
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