Ag缓冲层对ZnO:Al薄膜结构与光电性能的改善

发布时间：2018-02-20 23:43

  本文关键词： 射频磁控溅射 AZO/Ag/AZO 光电性能　出处：《物理学报》2017年02期 　论文类型：期刊论文

【摘要】：在室温条件下,采用射频磁控溅射法在玻璃基底上制备出了一系列高质量的AZO薄膜和不同Ag缓冲层厚度的AZO/Ag/AZO复合薄膜.利用x射线衍射和原子力显微镜分别对薄膜的物相和表面形貌进行了表征;利用霍尔效应测试仪和紫外一可见光分光光度计等实验技术对薄膜的光电性能进行了研究.实验结果表明,Ag缓冲层厚度对AZO薄膜的晶体结构和光电性能影响较大.当Ag层厚度为10 nm时,AZO(30nm)/Ag(10 nm)/AZO(30 nm)薄膜拥有最优品质因子,为1.59×10~(-1)Ω~(-1),方块电阻为0.75Ω/□,可见光区平均透过率为84.2%.另外,薄膜电阻随温度的变化趋势呈现金属电阻随温度的变化特性,光电热稳定性较好.
[Abstract]:At room temperature, A series of high quality AZO thin films and AZO/Ag/AZO composite films with different Ag buffer thickness were prepared on glass substrates by RF magnetron sputtering. The phase and surface of the films were investigated by X-ray diffraction and atomic force microscopy, respectively. The morphology was characterized. The optical and electrical properties of AZO thin films were studied by using Hall effect tester and UV-Vis spectrophotometer. The results show that the thickness of Ag buffer layer has a great influence on the crystal structure and photoelectric properties of AZO thin films. When the thickness of Ag layer is 10 nm, the AZO thin film has the best quality factor. The film resistance is 1.59 脳 10 ~ (-1) 惟 ~ (-1) 惟 ~ (-1), the square resistance is 0.75 惟 / -and the average transmittance in the visible region is 84.2%. In addition, the variation trend of film resistance with temperature shows the variation of metal resistance with temperature, and the photoelectric thermal stability is better.
【作者单位】： 河南理工大学物理与电子信息学院;
【基金】：国家自然科学基金(批准号:11140064,11304081,51301062)资助的课题~~
【分类号】：TB383.2

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本文编号：1520372