离子源循环轰击对磁控溅射TiN薄膜结构和电学性能的影响

发布时间：2018-03-27 18:40

  本文选题：TiN薄膜　切入点：离子源循环轰击　出处：《中国表面工程》2017年01期

【摘要】：为研究离子源循环轰击对薄膜结构和电学性能的影响,通过离子源轰击辅助直流磁控溅射在200℃下沉积不同循环周期Ti N薄膜,采用场发射扫描电镜、原子力显微镜、X射线衍射仪表征薄膜表面形貌及组织结构。采用纳米压痕仪检测涂层的硬度和弹性模量。采用双电测四探针电阻仪测试室温下薄膜的电学性能。结果表明:离子源轰击在薄膜中形成了分层结构,膜层更加致密光滑,平均粗糙度由5.2 nm下降为2.7 nm。随着离子源循环轰击周期增加薄膜结晶性增强,并且当离子源循环轰击周期为3次时出现了Ti N(200)峰,薄膜硬度和弹性模量提高。当经过2次离子源循环轰击时薄膜电阻值最低为8.1μΩ·cm。
[Abstract]:In order to study the effect of ion source cyclic bombardment on the structure and electrical properties of thin films, tin thin films with different cycles were deposited by ion source bombardment assisted DC magnetron sputtering at 200 鈩，

本文编号：1672752