铁酸铋薄膜的电学特性及掺杂影响分析

发布时间：2018-05-19 16:32

  本文选题：铁酸铋 + 铁电性能　； 参考：《化工新型材料》2017年03期

【摘要】：利用溶胶-凝胶法在氧化铟锡(ITO)衬底上制备了多铁性铁酸铋薄膜,发现这种方法制备的薄膜具有典型的钙钛矿晶体结构,并表现出较好的介电性能。薄膜的漏电和铁电性能测试表明由于漏电流比较大,薄膜在室温下表现出不饱和的电滞回线,难以精确获得剩余极化强度值。而在外加扫描电压或电流时,薄膜均呈现出明显的阻变效应,可应用于阻变信息存储。最后,分析讨论了元素掺杂对薄膜铁电性能和阻变效应的影响。
[Abstract]:Polyferric bismuth ferrite thin films were prepared on indium tin oxide (ITO) substrates by sol-gel method. It was found that the thin films prepared by this method had typical perovskite crystal structure and showed good dielectric properties. The leakage and ferroelectric properties of the films show that the films exhibit unsaturated hysteresis loops at room temperature due to the large leakage current ratio, which makes it difficult to obtain the remanent polarization intensity accurately. However, the films exhibit obvious resistive effect under applied scanning voltage or current, which can be used to store resistive information. Finally, the effect of element doping on ferroelectric properties and resistance effect is discussed.
【作者单位】： 嘉应学院物理与光信息科技学院;
【基金】：广东省自然科学基金博士科研启动项目(2014A030310410)
【分类号】：TB383.2

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本文编号：1910826