当前位置:主页 > 科技论文 > 材料论文 >

碳纸表面二硫化钼纳米墙的制备及电催化析氢研究

发布时间:2020-04-03 13:28
【摘要】:现代社会的发展对可再生能源和环保能源产生了巨大的需求。氢气(H_2)能量密度高以及零碳排放,被誉为未来最理想的能源载体。研究发现,二硫化钼的吸附氢原子的吉布斯自由能接近零,可以作为替代铂族贵金属的析氢反应的催化剂。化学气相沉积法(CVD)被认为是合成大面积、高质量、尺寸和厚度可控的具有不同形貌的二硫化钼(MoS_2)最实用技术,包括纳米管、纳米线、纳米片等,这与MoS_2的各向异性结构有关。垂直分布的MoS_2纳米片由于具有高纵横比的纳米结构导致了广泛的边缘位点暴露,这种结构在析氢反应(HER)中具有很大的潜力。本文采用自制的CVD系统,利用三氧化钼和升化硫作为前驱体的组合,在碳纸表面成功制备垂直分布的MoS_2纳米片也就是MoS_2纳米墙。为了进一步改善MoS_2纳米墙的催化活性,对其进行了氢气处理及合成MoS_2/MoO_x异质结构。氢气处理碳纸表面制备的MoS_2纳米墙,显示了特定的合成后处理MoS_2中缺陷数量和HER性能之间的相关性。通过化学气相沉积(CVD)法合成原始的MoS_2纳米墙,接着对其进行氢气退火处理,这样就会制造硫空缺从而增加活性位点的数量。其中通入氢气的时间,氢气退火的温度和氢气流速的不同都会影响MoS_2纳米墙的催化活性。通过不同气体对MoS_2纳米墙退火处理后的催化活性的对比,证明氢气对MoS_2纳米墙催化活性的作用。在碳纸表面利用不同的温度条件制备氧化钼,然后对其进行硫化得到MoS_2/MoO_x异质结构,这样的结构具有提高电催化析氢活性的几个优点。第一,在HER酸性电解质环境中MoS_2纳米片充当了底层氧化钼的保护层。第二,MoS_2/MoO_x结构具有较高的比表面积。第三,底层导电的氧化钼允许有效的电荷收集和电荷转移,以利于进行质子还原反应。
【图文】:

主要途径,电解水,半反应,析氧反应


图 1-1 工业制氢的三种主要途径[1]电解水反应可以分为两个半反应:析氧反应(OER)和析氢反应(HER)[2R 是电解水的还原半反应(2H++2e-→H2),,需要催化剂来降低过电位从而重要电化学过程的效率。电解水制氢利用了地球上最廉价且丰富的资

展开图,结构示意图,布里渊,布里渊区


图 1-2 a) MoS2的结构示意图[8];b) MoS2的晶体结构[9]化钼的能带性质 是块状 MoS2在第一布里渊区的展开图[10],Г是布里渊点是H,K和А。v1 和 v2 是两条价带,c1 是导带。A
【学位授予单位】:哈尔滨工业大学
【学位级别】:硕士
【学位授予年份】:2018
【分类号】:TB383.1;TQ116.2

【相似文献】

相关期刊论文 前10条

1 И.А.Меркулова;А.Н.Титков;李桂英;;电阻合金的氢气退火(波多尼斯基《细丝》厂的经验)[J];国外电工仪表;1965年05期

2 ;氢气退火有助于超合金的抗氧化性[J];河北理工学院学报;1995年03期

3 邹子英,闵靖;高温氢气退火提高硅片质量的研究[J];功能材料与器件学报;2004年02期

4 刘起;丁其生;;热轧变压器硅钢片氢气退火工艺的探讨[J];钢铁;1965年12期

5 杨娇;高美珍;;利用椭偏仪研究氢气退火处理对ZnO-Ga薄膜光学性能的影响(英文)[J];红外与毫米波学报;2016年01期

6 ;用木炭退火代替氢气退火做无氧铜含氧量金相检验[J];理化检验.物理部分;1972年02期

7 ;用木炭退火代替氢气退火做无氧铜含氧量金相检验[J];理化检验通讯(物理检验部分);1972年02期

8 余学功,杨德仁,马向阳,李红,阙端麟;氢气退火对大直径直拉硅单晶中空洞型缺陷的影响[J];半导体学报;2003年02期

9 王海波;;SiC表面的氢钝化[J];科技资讯;2011年23期

10 曾雄辉,赵广军,杭寅,张连翰,王静雅,徐军;纯LaAlO_3和Ce~(3+)∶LaAlO_3单晶的吸收谱和透过谱研究[J];人工晶体学报;2004年03期

相关会议论文 前2条

1 李雯;陆妍;丛炳俊;伍枝正;刘涌;韩高荣;宋晨路;;TiO_2:Nb薄膜的溶胶凝胶法制备及氢气退火对性能的影响[A];2015年全国玻璃科学技术年会论文专集[C];2015年

2 王金华;杨平;毛卫民;;Fe-0.46%Mn无取向电工钢中的相变组织与织构[A];第十五届中国体视学与图像分析学术会议论文集[C];2017年

相关硕士学位论文 前6条

1 李宝珠;碳纸表面二硫化钼纳米墙的制备及电催化析氢研究[D];哈尔滨工业大学;2018年

2 罗珑玲;掺钛氧化锌薄膜的制备及其光电性能研究[D];广西大学;2018年

3 方敏;氢退火对直拉硅中氧沉淀及空洞型缺陷的作用[D];浙江大学;2006年

4 阮亚飞;P(VDF-TrFE)铁电薄膜掺杂特性研究[D];上海师范大学;2012年

5 李金刚;氢气氛下高温退火对直拉硅中氧的行为的影响[D];浙江大学;2007年

6 吴伟;晶界修饰对Sr_2FeMoO_6结构、磁性及磁输运性质的影响[D];哈尔滨工业大学;2008年



本文编号:2613431

资料下载
论文发表

本文链接:https://www.wllwen.com/kejilunwen/cailiaohuaxuelunwen/2613431.html


Copyright(c)文论论文网All Rights Reserved | 网站地图 |

版权申明:资料由用户2f1de***提供,本站仅收录摘要或目录,作者需要删除请E-mail邮箱bigeng88@qq.com