二氧化锡基催化剂的构筑及其动力学过程
【图文】:
图1.1二氧化锡晶体结构图逡逑
§邋1.2.2.1邋掺杂逡逑掺杂就是用某种元素或是离子取代无机半导体中主原子的位置,基本示意图逡逑如图1.2所示。掺杂元素可以是金属元素掺杂(如Fe[23]、Sbl24],、&[25]、0)[26]等),逡逑也可以是非金属元素(如F—等),,其主要目的是引入氧缺陷。氧缺陷能够捕获逡逑空穴,称为空穴陷阱,光生空穴大部分被陷阱俘获,减少了自由移动载流子中空逡逑穴的浓度,从而大大降低了自由的电子-空穴对复合率。当然导带上的非平衡载逡逑流子电子也有可能与陷阱中心上的空穴进行复合,但复合概率很小,更可能发生逡逑的是陷阱中的空穴先被激发到价带,然后再与光生电子复合。这样就大大增大了逡逑自由非平衡电子的寿命。2017年山东大学的王文寿教授课题组通过原位锡离子逡逑自掺杂技术,在二氧化锡颗粒中引入氧缺陷,用于驱动氧化还原颜色的可逆变化,逡逑其中氧缺陷一方面能拓宽二氧化锡对可见光的吸收,另一方面在光催化反应的过逡逑程中氧缺陷可以起到自牺牲电子供体的作用
【学位授予单位】:扬州大学
【学位级别】:硕士
【学位授予年份】:2018
【分类号】:O643.36;TB383.1
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