缺陷诱导纳米材料及其电催化性能的研究
【学位授予单位】:湖南大学
【学位级别】:博士
【学位授予年份】:2018
【分类号】:O643.36;TB383.1
【图文】:
缺陷诱导纳米材料及其电催化性能的研究图1.1 以氯化钠晶体结构为例的点缺陷(绿色球为氯离子,蓝色为钠离子):A)氯化钠完整的理想晶体周期原子点阵,B)氯离子或钠离子空位缺陷,C)钠离子进入晶格点阵形成的填隙原子缺陷以及D)外来杂质原子(黑色球)进入晶格点阵位点或者间隙位而造成的杂质原子缺陷的示意图相对于理想晶体的周期性原子点阵(图1.1 A),所谓的空位缺陷,是晶体中的原子或离子离开点阵位置后所留下的空穴,如图1.1 B 红色虚线圈所示。填隙原子缺陷则是原子进入晶体中正常结点之间的间隙位置,成为填隙原子或称间隙原子,如图1.1 C 所示。而杂质原子缺陷
博士学位论文高效的ORR催化活性。如图1.2所示,与传统的铂碳材料相比,引入氮原子掺杂缺陷后的垂直碳纳米管阵列展示出了更好的催化活性。他们的理论计算以及实验两方面都证明,当少量杂原子氮被引入到碳骨架位置,可以有效诱导材料中碳原子的电子密度和自旋密度发生改变,从而改善对氧气分子的吸附特性(如图1.2 B和C所示,无掺杂缺陷的垂直碳纳米管阵列对氧气分子的吸附在端位,而引入杂原子掺杂缺陷后的吸附变成为侧面位置),进而促进其ORR电催化活性。此外,该氮掺杂缺陷诱导的碳纳米管还具有更为优异的循环稳定性以及抵抗甲醇毒化能力。图1.2 (A)铂碳(蓝色线),无掺杂的垂直碳纳米管阵列(黑色线)和氮掺杂的垂直碳纳米管阵列(红色线)三种电极的氧还原反应催化活性曲线;(B)氮掺杂缺陷诱导碳纳米管的电荷分布计算;(C)有无氮掺杂缺陷的碳纳米管对氧气分子吸附情况模拟示意图[9]此外
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本文编号:2712575
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