聚酰亚胺基二维纳米银复合薄膜制备及性能研究
【学位单位】:哈尔滨理工大学
【学位级别】:硕士
【学位年份】:2018
【中图分类】:TB383
【部分图文】:
容范围:1fF-1F;相位精度:2×10-3;损耗精度:小于 10-5。样品测试频率为 100Hz-106Hz。测试前在样品两侧蒸镀铝电极。.3.2 直流击穿场强按照 IEC243 标准测试不同组分 PI/Ag 复合薄膜及纯 PI 薄膜的直流击穿,实验电压范围为 0-50kV。升压速率为 0.5kV/s,测试时,测试样品被平整泡在硅油中,每次测试后,需更换测试位置。测量结果中偏差太大的数据剔除,不同组分样品至少被记录 9 个有效值。.3.3 耐电晕老化寿命耐电晕老化测试被用以研究绝缘材料电晕老化寿命及电晕老化机理。实搭建测试平台,采用标准为 GB/T22689(IEC60343),如图 2-1 所示。
11图 2-2 电子万能试验机ig.2.2 The electronic universal testing mach热重分析仪测试不同组分PI/Ag复合细小,避免实验过程中较大样品随气g。升温速率为 10℃ / min,升温范。测试的 STAR.SW 14 型号 DSC 差式扫描璃化转变温度及熔融焓,测试气氛室温至 700℃。纯 PI 薄膜、0.3%、样品测试量分别为 1.4239mg、1
第3章 PI/Ag 复合薄膜制备及结构表征要介绍采用原位聚合法的均苯型聚酰亚胺合成原理及 P艺流程;利用 SEM、EDS、FTIR、XRD、SAXS 测试表薄膜及纳米银片微观结构;研究纳米银片及其组分对 P片结构与特性种过渡金属,原子间作用力为金属键。纳米银片是厚度材料。银在自然界有单质存在,绝大部分存在于矿石中定,导热、导电性能很好,质软,富延展性,纳米银粉为几个纳米的银颗粒熔点低于 100℃,但当纳米银尺寸增常规熔点。纳米银片被作为电子电气材料、感光材料以用,其制备方法主要包括机械球磨法、光诱导法、热处原沉积法等。银单质为面心立方结晶,其晶格结构如图44 pm,晶格常数 0.4 nm。
【参考文献】
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1 陈建君;;石墨烯产业化制备和应用进展概述[J];炭素;2016年02期
2 陈志平;黄孙息;白小庆;青双桂;;抗静电聚酰亚胺薄膜材料的研究进展[J];绝缘材料;2015年05期
3 齐胜利;吴战鹏;武德珍;金日光;;具有高表面反射性和导电性的聚酰亚胺-银复合薄膜的制备[J];高分子通报;2013年04期
4 崔玲玲;刘坤;王艳芳;葛祥才;;溶液插层法制备PPC/OMMT纳米复合材料及性能表征[J];化工新型材料;2011年08期
5 刘晓旭;殷景华;程伟东;卜文斌;范勇;吴忠华;;利用小角X射线散射技术研究组分对聚酰亚胺/Al_2O_3杂化薄膜界面特性与分形特征的影响[J];物理学报;2011年05期
6 李茸;刘祥萱;王煊军;;纳米金属催化机理[J];化学推进剂与高分子材料;2007年06期
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3 陈明华;PI/(MMT+AlN)纳米复合薄膜结构、耐电晕特性及机理研究[D];哈尔滨理工大学;2013年
4 高冠慧;二维层状材料的剥离及其复合物制备与性能研究[D];中国海洋大学;2012年
5 齐胜利;聚酰亚胺/银复合薄膜的制备及相关机理研究[D];北京化工大学;2008年
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2 王萍;导电银胶的研究与制备[D];机械科学研究总院;2012年
3 施政余;聚酰亚胺基超疏水涂层的制备及其润湿性能研究[D];上海交通大学;2009年
4 彭勃;银/聚酰亚胺高介电复合材料的制备及其性能研究[D];北京化工大学;2008年
本文编号:2849976
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