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Cu/Ag(Invar)复合材料制备与界面结构优化

发布时间:2020-12-04 14:16
  随着时代的进步,电子产业的发展及电子产品的多元化对电子封装技术及材料提出了更高的要求。具备高导热和低膨胀性能的新型电子封装复合材料一直备受关注。新开发的Cu/Invar复合材料在烧结制备过程中的原子扩散,导致复合材料中Cu及Invar合金成分变化,对复合材料的性能产生十分不利的影响。因此,探讨有效抑制Cu/Invar界面扩散,改善复合材料烧结性能的措施是该复合材料性能研发过程的关键。本文采用Invar粉体表面化学镀在Cu/Invar界面设置连续的Ag层,开展了化学镀液pH值及化学镀时间对化学镀Ag过程的影响及Ag(Invar)复合粉体的表面及界面结构的研究。以Cu粉及Ag(Invar)复合粉体为原料,采用粉末冶金及形变热处理工艺制备Cu/Ag(Invar)复合材料,并对复合材料的显微组织与性能开展系统研究。采用银氨溶液为化镀溶液,以酒石酸钾钠溶液作为还原剂,对Invar粉进行化学镀Ag,制备出Ag(Invar)复合粉体。在pH值为11.5左右,反应时间为30 min条件下,Ag(Invar)复合粉体表面Ag镀层厚度约2-3μm,表面平整、均匀、连续、致密,与Invar结合紧密。常压烧结... 

【文章来源】:合肥工业大学安徽省 211工程院校 教育部直属院校

【文章页数】:70 页

【学位级别】:硕士

【部分图文】:

Cu/Ag(Invar)复合材料制备与界面结构优化


Fe-Ag相图

相图,相图


10图 1.2 Ni-Ag 相图Fig.1.2 Ni-Ag binary phase diagram述研究的基础上,本论文拟采用化学镀的方法在 Invar 合金颗粒表面获致密的 Ag 涂层,并改善 Invar 与 Ag 的结合状态,最大限度地发挥 Agu/Invar界面扩散,改善复合材料烧结性的目的。同时结合烧结态 Cu/Ag(冷轧+退火的形变热处理工艺实现复合材料的完全致密致密化,改善复

粒度分布,粒度分布,累计分布,颗粒粒径


布如图 2.1 所示,颗粒粒径累计分布为 10%的粒径 D10=19.730μm,颗粒粒径累计分布为 50%的粒径 D50=36.850 μm,颗粒粒径累计分布为 90%的粒径 D90=67.166 μm,体积平均粒径为 D[4,3]=40.565 μm,表面积平均粒径为 D[3,2]=32.782 μm。长沙天久金属材料有限公司提供的气雾化 Invar 合金粉(Fe-32Ni-4Co,粒度为-200 ~ +600 目,纯度为99.8 wt%,形貌呈球形),其成分如表 2.2 所示,Invar 合金粉的粒径分布如图 2.2 所示,颗粒粒径累计分布为 10%的粒径 D10=15.039μm,颗粒粒径累计分布为 50%的粒径D50=32.866μm,颗粒粒径累计分布为 90%的粒径 D90=66.015μm,体积平均粒径为D[4,3]=37.150 μm,表面积平均粒径为 D[3,2]=25.945 μm;国药集团化学试剂有限公司提供的 AgNO3粉(纯度为 99.8 wt %,无色或白色晶体)和酒石酸钾钠(C4H4O6KNa 4H2O,纯度为 99.0 wt %,白色结晶粉末)。表 2.1 Cu 粉的化学成分(wt%)Tab. 2.1 Chemical composition of the Cu powder (wt%)Cu Fe Al Si Cl O S Ni Zn99.921 0.025 0.010 0.010 0.010 0.008 0.006 0.005 0.005

【参考文献】:
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本文编号:2897750

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