InP纳米晶的合成及性质研究
发布时间：2020-12-07 06:16
半导体纳米晶具有量子尺寸效应和独特的光学性质,可广泛地应用在光电器件、生物标记、太阳能电池、光催化等方面。这使半导体纳米晶成为越来越多研究者研究的热点。在过去三十年里,II-VI族纳米晶是这些半导体纳米晶中研究最深入、最广泛的材料。然而,II-VI族纳米晶大多含有对环境有害的高毒性元素（Cd、Hg等）,因此限制了其大规模、商业化生产。InP纳米晶具有和II-VI族纳米晶相似的光学性质,不含Cd、Pb、Hg等重金属,具有环保低毒的优点,成为代替II-VI族纳米晶的最佳候选材料。合成InP纳米晶最常用的磷源为三（三甲基硅烷基）-膦（P（SiMe3）3）,但这种磷源价格昂贵、性质活泼安全性较差。新型磷源三（二甲胺基）膦或者三（二乙胺基）膦（P[N（CH3）2]3或P[N（CH3CH2）2]3）具有安全、经济的特点,可代替P（SiMe3）3。直接合成的In...
【文章来源】：吉林大学吉林省 211工程院校 985工程院校 教育部直属院校
【文章页数】：67 页
【学位级别】：硕士
【部分图文】：
（A）半导体从离散的分子到纳米尺寸晶体和体相晶体间转变的能态，蓝色底纹代表的是电子占有的基态，（B）表明CdSe半导体纳米晶量子尺寸效应和
图 1.2 Wells 小组的去卤硅烷基反应的机理图这种合成 InP 纳米晶的方法反应时间久，反应温度高。高温使 InP 粒结晶度，但过高的温度致使 InP 粒子聚集、沉淀，难以再分散形成胶体
别为 2.6 nm、3.5 nm、4.6 nm 的 InP 量子点的合成 InP QDs 所需要的反应时间较长，尺寸分布[41]使用非配位性溶剂 1-十八烯（ODE）作溶剂铟前体，在高温下注入 P(SiMe3)3或 tris(trimeth次合成了高质量、具有单一发射、尺寸分布均匀 nm 范围内可调的 InP QDs 或发射在 600-900 nm InP QDs 的吸收、荧光光谱如图 1.4 所示。该方
【参考文献】：
期刊论文
[1]新型低毒AgInS2量子点的制备和表征以及对肿瘤细胞的成像[J]. 张涛,李智,孙权洪,马楠. 分析化学. 2016(12)
硕士论文
[1]铜锡硫和铜锌锡硫半导体光伏材料的制备及表征[D]. 谢梦.电子科技大学 2014
本文编号：2902786
【文章来源】：吉林大学吉林省 211工程院校 985工程院校 教育部直属院校
【文章页数】：67 页
【学位级别】：硕士
【部分图文】：
（A）半导体从离散的分子到纳米尺寸晶体和体相晶体间转变的能态，蓝色底纹代表的是电子占有的基态，（B）表明CdSe半导体纳米晶量子尺寸效应和
图 1.2 Wells 小组的去卤硅烷基反应的机理图这种合成 InP 纳米晶的方法反应时间久，反应温度高。高温使 InP 粒结晶度，但过高的温度致使 InP 粒子聚集、沉淀，难以再分散形成胶体
别为 2.6 nm、3.5 nm、4.6 nm 的 InP 量子点的合成 InP QDs 所需要的反应时间较长，尺寸分布[41]使用非配位性溶剂 1-十八烯（ODE）作溶剂铟前体，在高温下注入 P(SiMe3)3或 tris(trimeth次合成了高质量、具有单一发射、尺寸分布均匀 nm 范围内可调的 InP QDs 或发射在 600-900 nm InP QDs 的吸收、荧光光谱如图 1.4 所示。该方
【参考文献】：
期刊论文
[1]新型低毒AgInS2量子点的制备和表征以及对肿瘤细胞的成像[J]. 张涛,李智,孙权洪,马楠. 分析化学. 2016(12)
硕士论文
[1]铜锡硫和铜锌锡硫半导体光伏材料的制备及表征[D]. 谢梦.电子科技大学 2014
本文编号：2902786
本文链接：https://www.wllwen.com/kejilunwen/cailiaohuaxuelunwen/2902786.html
