纳米结构ZnSe/ZnS多层薄膜的光致发光及电致发光性能研究

发布时间：2020-12-10 01:18

　　随着信息时代的快速发展,对发光材料和显示器件的要求越来越高。虽然目前显示领域有了很多新的突破和进展,但仍然面临一些问题需要解决。自从GaN基蓝光LED问世以后,蓝宝石衬底、SiC衬底以及Si衬底LED相继被报道,性能也得到很大提升。但是,Si衬底与GaN之间具有16.7%的晶格失配,同时Si的热膨胀系数与GaN之间也存在很大的差异,所以在Si衬底上外延生长得到的GaN薄膜容易产生缺陷、裂纹、位错或者弯曲等现象。虽然通过引入AlN作为缓冲层能够从技术领域基本克服这些问题,但是这会进一步增加制备工艺的难度。在有机发光二极管（OLEDs）领域,器件的寿命和有机材料的稳定性制约着OLEDs的发展。此外,基于量子点具有很好的光稳定性、发光效率高、发光光谱可调等优点,量子点器件也成为新的研究热点。在量子点的合成材料方面,目前研究成熟的主要是基于Cd。Cd本身的毒性,使得量子点和相关的量子点发光器件的应用领域受到限制,尤其是生物领域。所以制备出无毒高效的量子点和量子点器件是新的挑战。找到新的替代材料,制备出稳定、无毒、发光效率高和寿命长的电致发光器件对于显示行业的发展有着很重要的意义,尤其是蓝色发光... 

【文章来源】：北京交通大学北京市 211工程院校 教育部直属院校

【文章页数】：122 页

【学位级别】：博士

【部分图文】：

图１－２?ＺｎＳｅ?ＮＣｓ的尺寸与带隙的相关性

图１－５论文框架图

Ｆｉｇｕｒｅ?２－１?Ｔｈｅ?ｐｒｉｎｃｉｐｌｅ?ｓｃｈｅｍａｔｉｃ?ａｎｄ?ｅｑｕｉｐｍｅｎｔ?ｄｒａｗｉｎｇ?ｏｆ?ｅｌｅｃｔｒｏｎ?ｂｅａｍ?ｅｖａｐｏｒａｔｉｏｎ．??２．２．２磁控溅射??磁控溅射［１（）３］镀膜也是一种常见的真空镀膜方法。它的工作原理和设备如图２－２??所示：电子在加速电场Ｅ的作用下飞向基片，这个过程中被加速的电子会与氩原??子发生剧烈碰撞，从而电离产生出Ａｒ＋和新的电子；新的电子飞向基片，Ａｒ＋在电??场作用下加速飞向阴极靶，并以高能量轰击靶表面，使靶村发生溅射。在派射出??来的粒子中，带电中性的靶原子或分子沉积在基片上形成薄膜，而产生的二次电??子会受到电场和磁场作用，使电子在靶表面附近成螺旋状运行，被束缚在靠近靶??表面的等离子体区域内，并且在该区域中电离出大量的Ａｒ来轰击靶材，从而增大??电子撞击氩气产生离子的概率，从而实现了高的沉积速率。磁控溅射方法有自身??的优点


本文编号：2907817