硅量子点调控MoX 2 /rGO复合材料的制备及其性能研究

发布时间：2020-12-14 01:46

　　能源枯竭与环境污染是当今社会发展过程中亟待解决的问题。近年来,二维过渡金属硫族化合物（TMDCs）因其较弱的层间相互作用、大的比表面积以及可控的能带结构,被广泛应用于润滑剂、光电器件、生物传感、催化等领域。二维MoS₂和MoSe₂作为二维TMDCs中的典型材料,具有较大的带隙、高理论比容量以及元素价态多样性的特点,在超级电容器和光催化领域有很好的应用前景,进而为解决能源和环境问题提供了有效途径。但它们均存在易团聚和导电性差等缺点,因此,本文采用硅量子点（SiQDs）对其合成进行调控并与还原氧化石墨烯（rGO）复合克服其存在的缺点。首先本论文采用硅量子点（SiQDs）辅助水热法合成了二维MoS₂,通过XRD、SEM、Raman以及UV-Vis等测试分析技术,探究了SiQDs对产物形貌、相态等的影响规律。利用零维SiQDs的表面效应,使其作为形核中心,进而生长得到结晶性好、形貌均一的MoS₂纳米花球,有效阻止了片层的团聚。结果表明,SiQDs-MoS₂包含1T和2H相,其花瓣超薄,... 

【文章来源】：哈尔滨工业大学黑龙江省 211工程院校 985工程院校

【文章页数】：88 页

【学位级别】：硕士

【部分图文】：

典型MX2的a）结构三维示意图

哈尔滨工业大学理学硕士学位论文与石墨烯相比，TMDCs 家族中半导体类材料显著的特点在于带隙可调[6oS2为例，块体 MoS2为间接带隙半导体，带隙宽度为 1.29eV，随着层数的减oS2带隙逐渐变大，单层 MoS2发生间接带隙到直接带隙的转变，禁带宽度V[7]。WS2和 MoSe2也表现出相同的带隙特征[8]。在 MoS2的拉曼光谱中可以强烈的 E12g和 A1g振动模式，层数对频率、强度以及两峰之间的宽度有着强响，随着层数的增加，A1g和 E12g分别出现蓝移和红移的现象，因此利用拉可以对 MoS2的层数进行分析[9]，如图 1-2 所示。由于量子限域效应和表面效层和少层 TMDCs 表现出不同于块体材料的性质，例如单层 MoS2具有光致应，同时产氢催化能力有所增强，这些特性使其在电子器件、催化等领域具的应用前景。

哈尔滨工业大学理学硕士学位论文一步沉积成纳米材料。这种方法的优势在于设备好操控，且纯度较高[12]。尤运城等人[13]利用 CVD 的方法制备了如图 1-3，并对其制备过程和薄膜质量的影响因素进行了深 CVD 的方法制备了单层 WS2薄膜，在 H2气氛下，将硫粉，通过控制 H2的浓度，达到对 WS2薄膜层数的控制。

【参考文献】：
期刊论文
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硕士论文
[1]层状MoS2纳米薄片及其复合材料的制备及其电化学性能的研究[D]. 吴肖.江苏大学 2016



本文编号：2915574