非掺杂ZnO薄膜中载流子输运性质的研究
发布时间：2020-12-14 05:14
ZnO作为第三代宽禁带半导体的代表,其禁带宽度为3.37 eV,激子束缚能高达60 meV,在光电器件领域具有很大的应用前景。经过近20年的研究,ZnO材料体系在薄膜生长、杂质调控和器件应用等方面取得了一定的成果。但是至今,高质量ZnO单晶难以制备、迁移率低下、p型电导不稳定等问题阻碍了ZnO基光电材料和器件的实用化进程,这些亟待解决的问题都与ZnO薄膜中的缺陷、杂质息息相关。本论文致力于研究ZnO薄膜中载流子输运性质,为了解这些缺陷、杂质的开辟了一条重要途径,主要内容如下:（1）利用PLD技术、选取ZnO陶瓷靶作为源材料,通过对基靶间距、激光脉冲频率和激光器压强等工艺参数进行优化,在c-Al2O3衬底上制备了未掺杂的ZnO薄膜。通过对制备的样品进行晶体结构、形貌特征、发光性能和电学性能的表征,得到最佳的Zn O薄膜生长工艺参数。（2）对制备的ZnO薄膜的导电机理进行了系统的研究,得到在不同的温度范围内ZnO薄膜具有不同的导电机理。在125300 K温区内,ZnO薄膜的电导由导带中的电子导电和最近邻跳跃导电共同参与;在3...
【文章来源】：深圳大学广东省
【文章页数】：105 页
【学位级别】：硕士
【部分图文】：
ZnO的三种晶体结构（a）立方岩盐矿结构，（b）立方闪锌矿结构，（c）六方纤锌矿结构，O原子用浅色球体表示，Zn原子用深色球表示
结构（a）立方岩盐矿结构，（b）立方闪锌矿，O 原子用浅色球体表示，Zn 原子用深色球结构的 ZnO，如图 1-2 所示，属于空以看出，这种结构可以看作分别由 Zn，然后按照 u 值为 0.375 nm 平移后嵌构来看，每个 Zn 原子被四个 O 氧原子个 Zn 原子包围也组成四面体。晶格常想值 1.633 有所偏小，为 1.602。同时具有 Zn 面（0001）和 O 面（0001）
非掺杂 ZnO 薄膜中载流子输运性质的研究脉冲激光沉积（PLD）的技术上，采用多步生长的办法，在 ZnO 薄膜厚度达到微米级仍能保持原子尺度级别的平整度[20]。除了传统的 MBE、PLD、MOCVD 等传统的真空镀膜技术，近年来兴起的 sol-gel 方法制备 ZnO 薄膜，具又低温、环保等优势，有利于更广泛的应用[21, 22]。
【参考文献】：
博士论文
[1]氧化锌p型掺杂的相关问题研究[D]. 李林.中国科学院研究生院（长春光学精密机械与物理研究所） 2010
[2]氧化物铁磁性半导体电子输运特性的研究[D]. 田玉峰.山东大学 2009
硕士论文
[1]Ⅲ-Ⅴ族半导体异质结中二维电子气的磁输运性质[D]. 王威.广西大学 2013
[2]AlGaN/AlN/GaN 异质结二维电子气的磁输运特性研究[D]. 焦莎莎.西安电子科技大学 2011
本文编号：2915886
【文章来源】：深圳大学广东省
【文章页数】：105 页
【学位级别】：硕士
【部分图文】：
ZnO的三种晶体结构（a）立方岩盐矿结构，（b）立方闪锌矿结构，（c）六方纤锌矿结构，O原子用浅色球体表示，Zn原子用深色球表示
结构（a）立方岩盐矿结构，（b）立方闪锌矿，O 原子用浅色球体表示，Zn 原子用深色球结构的 ZnO，如图 1-2 所示，属于空以看出，这种结构可以看作分别由 Zn，然后按照 u 值为 0.375 nm 平移后嵌构来看，每个 Zn 原子被四个 O 氧原子个 Zn 原子包围也组成四面体。晶格常想值 1.633 有所偏小，为 1.602。同时具有 Zn 面（0001）和 O 面（0001）
非掺杂 ZnO 薄膜中载流子输运性质的研究脉冲激光沉积（PLD）的技术上，采用多步生长的办法，在 ZnO 薄膜厚度达到微米级仍能保持原子尺度级别的平整度[20]。除了传统的 MBE、PLD、MOCVD 等传统的真空镀膜技术，近年来兴起的 sol-gel 方法制备 ZnO 薄膜，具又低温、环保等优势，有利于更广泛的应用[21, 22]。
【参考文献】：
博士论文
[1]氧化锌p型掺杂的相关问题研究[D]. 李林.中国科学院研究生院（长春光学精密机械与物理研究所） 2010
[2]氧化物铁磁性半导体电子输运特性的研究[D]. 田玉峰.山东大学 2009
硕士论文
[1]Ⅲ-Ⅴ族半导体异质结中二维电子气的磁输运性质[D]. 王威.广西大学 2013
[2]AlGaN/AlN/GaN 异质结二维电子气的磁输运特性研究[D]. 焦莎莎.西安电子科技大学 2011
本文编号：2915886
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