电化学沉积Co/CdSe多层异质结纳米线及性能的研究
发布时间：2020-12-14 16:39
多层异质结纳米线表现出优异的性能,在磁性、催化、生物医疗、电子设备等应用领域越来越受到重视。在本次论文,我们采用AAO模板辅助电化学沉积的方法,通过循环伏安法探索CdSe沉积机理后,在0.2 mol/L CdSO4、1 mmol/L SeO2、0.25 mol/L稀硫酸和0.25 mol/L Na2SO4的混合溶液中,-0.65 V下恒电位沉积,得到的纳米线中Cd和Se的化学计量比接近1:1,在1 mol/L CoSO4和40 g/L硼酸混合溶液中,-1.1 V下恒电位沉积得到Co纳米线;最后采用双槽法沉积得到了一系列的不同分节长度的Co/CdSe多层异质结纳米线,并分别通过SEM、EDS、XRD、UV-Vis、Raman和PL来表征纳米线。将单组分的CdSe、Co和Co/CdSe多层异质结纳米线进行形貌和结构分析。SEM表征发现纳米线高度有序平行排列,直径与模板孔道直径相当,约200 nm,多层纳米线呈现明暗交替生长;XRD结构表征发现,单组分CdSe纳米线为立方闪锌矿结构,多层纳米线中CdSe结构不变,而多层纳米线中Co的结构与单组分Co纳米线相比,由六方晶型转变为面心立方结构。将...
【文章来源】：深圳大学广东省
【文章页数】：70 页
【学位级别】：硕士
【文章目录】：
摘要
Abstract
第1章 绪论
1.1 引言
1.2 纳米材料简介
1.2.1 纳米材料的概念
1.2.2 纳米材料的分类[8]
1.2.3 纳米材料的性能
1.3 一维纳米材料
1.3.1 纳米线
1.3.2 一维异质结纳米材料
1.3.3 一维异质结纳米线特性及应用
1.4 CdSe纳米材料
1.4.1 Ⅱ-Ⅵ族半导体简介
1.4.2 CdSe纳米材料
1.4.3 CdSe纳米线的制备方法
1.4.4 CdSe纳米材料的潜在应用
1.5 磁性纳米材料
1.5.1 多层异质结磁性纳米线
1.6 一维纳米结构的光学耦合
1.7 AAO模板辅助电化学沉积多层纳米线
1.7.1 AAO模板的特点
1.7.2 电化学沉积制备多层纳米线
1.8 课题研究意义、主要内容及创新点
第2章 实验方法
2.1 实验原料与仪器设备
2.1.1 实验原料
2.1.2 实验仪器设备
2.2 电化学沉积法制备纳米材料
2.2.1 电化学沉积装置图
2.2.2 工作电极的制备
2.2.3 电化学沉积方法介绍
2.3 多层纳米线的制备方法
2.4 纳米线的形貌表征与性能测试
2.4.1 纳米线的形貌分析
2.4.2 纳米线成分分析
2.4.3 纳米线结构分析
2.4.4 紫外-可见吸收光谱分析
2.4.5 光致发光光谱分析
2.4.6 拉曼光谱分析
第3章 电化学沉积CdSe纳米线及其表征
3.1 引言
3.2 AAO模板的表征
3.2.1 AAO模板的形貌表征
3.2.2 AAO模板的结构表征
3.3 电化学沉积CdSe纳米线
3.3.1 CdSe沉积机理研究
3.3.2 CdSe纳米线沉积电位的选择
3.3.3 CdSe纳米线的沉积
3.4 CdSe纳米线表征
3.4.1 CdSe纳米线的形貌表征
3.4.2 CdSe纳米线的成分分析
3.4.3 CdSe纳米线的结构分析
3.5 CdSe纳米线的光学性质
3.5.1 CdSe纳米线的紫外-可见光谱分析
3.5.2 CdSe纳米线的拉曼光谱分析
3.5.3 CdSe纳米线的光致发光光谱分析
3.5.4 小结
第4章 Co/CdSe多层纳米线的制备及耦合效应的研究
4.1 引言
4.2 Co单质纳米线的制备及表征
4.2.1 Co单质纳米线的制备
4.2.2 Co纳米线的形貌分析
4.2.3 Co纳米线的结构分析
4.3 电化学沉积Co/CdSe多层纳米线
4.4 Co/CdSe多层纳米线的表征
4.4.1 Co/CdSe多层纳米线的形貌表征
4.4.2 Co/CdSe多层纳米线的成分分析
4.4.3 Co/CdSe多层纳米线的结构分析
4.5 Co/CdSe多层纳米线的光学性质
4.5.1 Co/CdSe多层纳米线的紫外-可见光谱分析
4.5.2 Co/CdSe多层纳米线的拉曼光谱分析
4.5.3 Co/CdSe多层纳米线的光致发光光谱分析
4.5.4 小结
第5章 结论
参考文献
致谢
本文编号：2916673
【文章来源】：深圳大学广东省
【文章页数】：70 页
【学位级别】：硕士
【文章目录】：
摘要
Abstract
第1章 绪论
1.1 引言
1.2 纳米材料简介
1.2.1 纳米材料的概念
1.2.2 纳米材料的分类[8]
1.2.3 纳米材料的性能
1.3 一维纳米材料
1.3.1 纳米线
1.3.2 一维异质结纳米材料
1.3.3 一维异质结纳米线特性及应用
1.4 CdSe纳米材料
1.4.1 Ⅱ-Ⅵ族半导体简介
1.4.2 CdSe纳米材料
1.4.3 CdSe纳米线的制备方法
1.4.4 CdSe纳米材料的潜在应用
1.5 磁性纳米材料
1.5.1 多层异质结磁性纳米线
1.6 一维纳米结构的光学耦合
1.7 AAO模板辅助电化学沉积多层纳米线
1.7.1 AAO模板的特点
1.7.2 电化学沉积制备多层纳米线
1.8 课题研究意义、主要内容及创新点
第2章 实验方法
2.1 实验原料与仪器设备
2.1.1 实验原料
2.1.2 实验仪器设备
2.2 电化学沉积法制备纳米材料
2.2.1 电化学沉积装置图
2.2.2 工作电极的制备
2.2.3 电化学沉积方法介绍
2.3 多层纳米线的制备方法
2.4 纳米线的形貌表征与性能测试
2.4.1 纳米线的形貌分析
2.4.2 纳米线成分分析
2.4.3 纳米线结构分析
2.4.4 紫外-可见吸收光谱分析
2.4.5 光致发光光谱分析
2.4.6 拉曼光谱分析
第3章 电化学沉积CdSe纳米线及其表征
3.1 引言
3.2 AAO模板的表征
3.2.1 AAO模板的形貌表征
3.2.2 AAO模板的结构表征
3.3 电化学沉积CdSe纳米线
3.3.1 CdSe沉积机理研究
3.3.2 CdSe纳米线沉积电位的选择
3.3.3 CdSe纳米线的沉积
3.4 CdSe纳米线表征
3.4.1 CdSe纳米线的形貌表征
3.4.2 CdSe纳米线的成分分析
3.4.3 CdSe纳米线的结构分析
3.5 CdSe纳米线的光学性质
3.5.1 CdSe纳米线的紫外-可见光谱分析
3.5.2 CdSe纳米线的拉曼光谱分析
3.5.3 CdSe纳米线的光致发光光谱分析
3.5.4 小结
第4章 Co/CdSe多层纳米线的制备及耦合效应的研究
4.1 引言
4.2 Co单质纳米线的制备及表征
4.2.1 Co单质纳米线的制备
4.2.2 Co纳米线的形貌分析
4.2.3 Co纳米线的结构分析
4.3 电化学沉积Co/CdSe多层纳米线
4.4 Co/CdSe多层纳米线的表征
4.4.1 Co/CdSe多层纳米线的形貌表征
4.4.2 Co/CdSe多层纳米线的成分分析
4.4.3 Co/CdSe多层纳米线的结构分析
4.5 Co/CdSe多层纳米线的光学性质
4.5.1 Co/CdSe多层纳米线的紫外-可见光谱分析
4.5.2 Co/CdSe多层纳米线的拉曼光谱分析
4.5.3 Co/CdSe多层纳米线的光致发光光谱分析
4.5.4 小结
第5章 结论
参考文献
致谢
本文编号：2916673
本文链接：https://www.wllwen.com/kejilunwen/cailiaohuaxuelunwen/2916673.html
