高κ介电层氧化锶薄膜的制备及其在薄膜晶体管中的应用
发布时间：2020-12-15 17:43
随着信息化社会的不断推进和发展,21世纪在显示领域已经成为平板显示的时代,而绝大多数的平板显示器都是有源矩阵液晶显示器（AMLCD）。AMLCD的核心元件是薄膜晶体管（Thin Film Transistor,TFT）,它对显示器件的性能起着至关重要的作用。传统的非晶硅TFT迁移率低、光敏性强,多晶硅TFT制备工艺复杂、成本高、均匀性差等因素,限制了它们在更广阔的领域内应用。将金属氧化物半导体引入到TFT中,不仅能大幅度提高迁移率,还能有效降低成本,实现大面积的制备与应用。然而,采用传统的二氧化硅（SiO2）作为TFT的介电层,由于其较小的介电常数,很难降低SiO2基的TFT的操作电压。为解决这一问题,需要研究新型高?介电材料替代SiO2作为介电层,制备高性能、低操作电压薄膜晶体管。本文首先介绍了TFT的发展历史,描述了TFT的工作原理、应用和制备。第一部分研究了高?介电层氧化锶（SrO）薄膜,通过简单、低成本的溶胶凝胶法制备出高质量介电薄膜,并系统地研究不同退火温度下（400,500,600和700 o
【文章来源】：青岛大学山东省
【文章页数】：52 页
【学位级别】：硕士
【文章目录】：
摘要
abstract
引言
第一章 绪论
1.1 薄膜晶体管的研究背景及意义
1.2 薄膜晶体管的应用
1.2.1 薄膜晶体管在LCD中的应用
1.2.2 薄膜晶体管在OLED中的应用
1.2.3 薄膜晶体管在传感器中的应用
1.3 本文主要研究内容和章节安排
第二章 薄膜晶体管的制备和研究
2.1 TFT的结构和工作原理
2.1.1 TFT基本结构
2.1.2 TFT的工作原理
2.2 TFT的主要性能参数
2.3 TFT的制备方法
2.3.1 溅射法
2.3.2 脉冲激光沉积
2.3.3 热蒸发
2.3.4 溶胶凝胶法
2.3.5 TFT制备原材料
2.4 薄膜的测试与表征
2.4.1 紫外-可见吸收光谱（UV-Vis）
2.4.2 X射线衍射（XRD）
2.4.3 原子力显微镜（AFM）
2.4.4 X射线光电子能谱（XPS）
第三章 基于高κ氧化锶介电层的氧化铟薄膜晶体管
3.1 高介电常数材料
2材料存在问题"> 3.1.1 传统SiO2材料存在问题
3.1.2 高介电常数材料概述
3.1.3 SrO材料介绍
x薄膜的制备"> 3.1.4 SrOx薄膜的制备
3.1.5 薄膜的性能测试及分析
2O3/SrOx）薄膜晶体管的制备、表征和应用"> 3.2 氧化铟/氧化锶（In2O3/SrOx）薄膜晶体管的制备、表征和应用
2O3材料概述"> 3.2.1 In2O3材料概述
2O3薄膜及In2O3/SrOxTFT的制备"> 3.2.2 In2O3薄膜及In2O3/SrOxTFT的制备
2O3/SrOxTFT电学性能表征"> 3.2.3 In2O3/SrOxTFT电学性能表征
2O3/SrOxTFT的应用-反相器"> 3.2.4 In2O3/SrOxTFT的应用-反相器
3.3 本章小结
2O3钝化层的In2O3/ZrO2薄膜晶体管制备与研究">第四章 基于Al2O3钝化层的In2O3/ZrO2薄膜晶体管制备与研究
4.1 金属氧化物TFT存在问题
2O3钝化层的In2O3/ZrO2TFT的制备与表征"> 4.2 基于Al2O3钝化层的In2O3/ZrO2TFT的制备与表征
2O3钝化层的In2O3/ZrO2TFT的制备"> 4.2.1 基于Al2O3钝化层的In2O3/ZrO2TFT的制备
2O3钝化层的In2O3/ZrO2TFT的表征"> 4.2.2 基于Al2O3钝化层的In2O3/ZrO2TFT的表征
4.3 本章小结
第五章 工作总结与展望
参考文献
攻读学位期间的研究成果与项目
致谢
【参考文献】：
期刊论文
[1]基于ZnO活性层薄膜晶体管的研究进展[J]. 许洪华,陈跃宁,袁广才. 沈阳师范大学学报(自然科学版). 2007(01)
[2]ZnO基薄膜晶体管的研究[J]. 程松华,曾祥斌. 液晶与显示. 2006(05)
[3]TFT-OLED驱动电路的研究[J]. 张志伟,荆海,邝俊峰,蔡克?,郜峰利,朱长春. 液晶与显示. 2004(06)
硕士论文
[1]氧化物薄膜晶体管的制造及其电学性能研究[D]. 王雄.浙江大学 2011
本文编号：2918644
【文章来源】：青岛大学山东省
【文章页数】：52 页
【学位级别】：硕士
【文章目录】：
摘要
abstract
引言
第一章 绪论
1.1 薄膜晶体管的研究背景及意义
1.2 薄膜晶体管的应用
1.2.1 薄膜晶体管在LCD中的应用
1.2.2 薄膜晶体管在OLED中的应用
1.2.3 薄膜晶体管在传感器中的应用
1.3 本文主要研究内容和章节安排
第二章 薄膜晶体管的制备和研究
2.1 TFT的结构和工作原理
2.1.1 TFT基本结构
2.1.2 TFT的工作原理
2.2 TFT的主要性能参数
2.3 TFT的制备方法
2.3.1 溅射法
2.3.2 脉冲激光沉积
2.3.3 热蒸发
2.3.4 溶胶凝胶法
2.3.5 TFT制备原材料
2.4 薄膜的测试与表征
2.4.1 紫外-可见吸收光谱（UV-Vis）
2.4.2 X射线衍射（XRD）
2.4.3 原子力显微镜（AFM）
2.4.4 X射线光电子能谱（XPS）
第三章 基于高κ氧化锶介电层的氧化铟薄膜晶体管
3.1 高介电常数材料
2材料存在问题"> 3.1.1 传统SiO2材料存在问题
3.1.2 高介电常数材料概述
3.1.3 SrO材料介绍
x薄膜的制备"> 3.1.4 SrOx薄膜的制备
3.1.5 薄膜的性能测试及分析
2O3/SrOx）薄膜晶体管的制备、表征和应用"> 3.2 氧化铟/氧化锶（In2O3/SrOx）薄膜晶体管的制备、表征和应用
2O3材料概述"> 3.2.1 In2O3材料概述
2O3薄膜及In2O3/SrOxTFT的制备"> 3.2.2 In2O3薄膜及In2O3/SrOxTFT的制备
2O3/SrOxTFT电学性能表征"> 3.2.3 In2O3/SrOxTFT电学性能表征
2O3/SrOxTFT的应用-反相器"> 3.2.4 In2O3/SrOxTFT的应用-反相器
3.3 本章小结
2O3钝化层的In2O3/ZrO2薄膜晶体管制备与研究">第四章 基于Al2O3钝化层的In2O3/ZrO2薄膜晶体管制备与研究
4.1 金属氧化物TFT存在问题
2O3钝化层的In2O3/ZrO2TFT的制备与表征"> 4.2 基于Al2O3钝化层的In2O3/ZrO2TFT的制备与表征
2O3钝化层的In2O3/ZrO2TFT的制备"> 4.2.1 基于Al2O3钝化层的In2O3/ZrO2TFT的制备
2O3钝化层的In2O3/ZrO2TFT的表征"> 4.2.2 基于Al2O3钝化层的In2O3/ZrO2TFT的表征
4.3 本章小结
第五章 工作总结与展望
参考文献
攻读学位期间的研究成果与项目
致谢
【参考文献】：
期刊论文
[1]基于ZnO活性层薄膜晶体管的研究进展[J]. 许洪华,陈跃宁,袁广才. 沈阳师范大学学报(自然科学版). 2007(01)
[2]ZnO基薄膜晶体管的研究[J]. 程松华,曾祥斌. 液晶与显示. 2006(05)
[3]TFT-OLED驱动电路的研究[J]. 张志伟,荆海,邝俊峰,蔡克?,郜峰利,朱长春. 液晶与显示. 2004(06)
硕士论文
[1]氧化物薄膜晶体管的制造及其电学性能研究[D]. 王雄.浙江大学 2011
本文编号：2918644
本文链接：https://www.wllwen.com/kejilunwen/cailiaohuaxuelunwen/2918644.html
