In 2 S 3 /TiO 2 /Si、CdIn 2 S 4 /TiO 2 /Si薄膜的制备及其光电化学性质的研究
发布时间：2020-12-18 00:32
二元硫族化物A2B3（A=Al,Ga,In;B=S,Se,Te）和三元硫属化物AB2C4（A=Ca,Mg,Zn,Cd;B=Al,Ga,In;C=S,Se,Te）由于其合适的禁带宽度,独特的光学和电学特性以及良好的催化性而受到人们的广泛关注。在这些化合物中,In2S3和CdIn2S4引起了相当大的关注,它们表现出很好的光电化学性能是非常有潜力的可见光催化材料,本论文主要分为两部分工作内容:1.通过两步化学方法制备了In2S3/TiO2/Si复合薄膜。首先利用金属辅助化学刻蚀法制备了形貌均匀的Si纳米棒阵列,然后通过喷雾热解法在Si纳米棒阵列表面喷涂了一层很薄的TiO2保护层,接着以TiO2/Si纳米棒阵列为基础,以InCl3和Na2S为铟源和硫源利用连续离子层吸附...
【文章来源】：渤海大学辽宁省
【文章页数】：57 页
【学位级别】：硕士
【部分图文】：
In2S3空心微球可能的形成机理[23]
化铟为铟源制备出了三维形貌的花状 β-In2S3纳米微球，通过改变溶剂中乙醇和水体积比可以改变 In2S3的形貌，提出并讨论了形态的形成机制如图 1-2 所示，此外由于较高的比表面积和良好的光学性质，三维花状 β-In2S3微球对甲基橙的降解表出较高的可见光光催化活性。
一个立方晶胞分别由8个镉原子，16个铟原子和32个硫原子组成，其晶格常数为10.84 ，如图 1-3 所示。CdIn2S4是一种 n 型直接带隙半导体，禁带宽度范围在 2.1~2.7 eV，在可见光范围内有较强的光吸收，在光电化学领域有很好的应用前景。作为纳米结构硫属化物半导体，由于其独特的光电特性，光化学稳定性和催化活性，CdIn2S4是一种非常有发现前景的光催化材料[39-40]，在光催化领域受到了人们的广泛关注。
本文编号：2922999
【文章来源】：渤海大学辽宁省
【文章页数】：57 页
【学位级别】：硕士
【部分图文】：
In2S3空心微球可能的形成机理[23]
化铟为铟源制备出了三维形貌的花状 β-In2S3纳米微球，通过改变溶剂中乙醇和水体积比可以改变 In2S3的形貌，提出并讨论了形态的形成机制如图 1-2 所示，此外由于较高的比表面积和良好的光学性质，三维花状 β-In2S3微球对甲基橙的降解表出较高的可见光光催化活性。
一个立方晶胞分别由8个镉原子，16个铟原子和32个硫原子组成，其晶格常数为10.84 ，如图 1-3 所示。CdIn2S4是一种 n 型直接带隙半导体，禁带宽度范围在 2.1~2.7 eV，在可见光范围内有较强的光吸收，在光电化学领域有很好的应用前景。作为纳米结构硫属化物半导体，由于其独特的光电特性，光化学稳定性和催化活性，CdIn2S4是一种非常有发现前景的光催化材料[39-40]，在光催化领域受到了人们的广泛关注。
本文编号：2922999
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