PIP法制备SiC纳米线增强SiC_f/SiC复合材料及其力学性能

发布时间：2020-12-21 15:27

　　利用化学气相沉积法原位生长Si C纳米线,制备出Si C纳米线增强Si Cf/Si C复合材料。研究了Si C纳米线及Si C纳米线/基体热解碳界面调控对复合材料的力学性能、裂纹扩展行为、纤维与基体之间的结合强度的作用。研究表明:Si C纳米线的引入能显著提高复合材料的致密化效果。通过调控Si C纳米线/基体的界面厚度,可显著提高复合材料的力学性能。Si C纳米线的引入提高了纤维/基体的界面结合强度,而Si C纳米线表面热解碳的引入可改善纤维/基体的界面结合强度。此外,碳化硅纳米线及其界面调控,能有效优化基体的微区力学行为及断裂模式。 

【文章来源】：硅酸盐学报. 2016年10期 北大核心

【文章页数】：6 页

【文章目录】：
1 实验
    1.1 Si CNWs/Si C纤维多级增强体制备
    1.2 样品制备
    1.3 性能表征
2 结果与讨论
    2.1 Si CNWs/Si C纤维多级增强体结构
    2.2 复合材料的力学性能
3 结论



本文编号：2930060