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铜、镍纳米粒子/CVD石墨烯复合结构的制备与性能研究

发布时间:2020-12-23 00:41
  金属纳米粒子由于具有大的比表面积和高的表面活性,在传感、催化等领域具有广泛的应用价值。其中铜,镍纳米粒子含量丰富,价格低廉,有望在催化和传感领域取代传统的贵金属,如金,银等。石墨烯具有优异的电学、力学、热学性能、良好的化学稳定性以及大的比表面积,成为负载金属纳米粒子的理想载体材料。将石墨烯与金属纳米粒子复合,石墨烯可以有效的支撑和固定金属纳米粒子,防止其团聚,并且利用石墨烯本身的高导电性为电荷转移提供通道,有望通过金属纳米粒子与石墨烯的协同作用,进一步提升单一金属纳米粒子和石墨烯的催化和传感性能。本论文通过置换反应法、电沉积以及CVD法制备了铜、镍纳米粒子/化学气相沉积(CVD)石墨烯复合结构,并且采用光学显微镜(OM)、扫描电子显微镜(SEM)、透射电子显微镜(TEM)、X射线衍射仪(XRD)和拉曼光谱仪(Raman spectra)等设备对所制备材料进行表征分析。并将复合材料应用于对对硝基苯酚催化和对过氧化氢的传感。主要结果如下:(1)利用CVD方法制备高质量的二维石墨烯薄膜,探讨了基底前处理,石墨烯薄膜的制备以及转移工艺。探讨了三维石墨烯的制备及转移工艺,制备转移出了具有较完整的... 

【文章来源】:东南大学江苏省 211工程院校 985工程院校 教育部直属院校

【文章页数】:84 页

【学位级别】:硕士

【部分图文】:

铜、镍纳米粒子/CVD石墨烯复合结构的制备与性能研究


图1-2?(a)?(b)卷成管状铜箔内侧和外侧生长石墨烯的AFM图;(c)?(a-b)图中位置的线扫??图;(d)?(e)卷成管状铜箔内侧和外侧生长石墨烯的SEM图[6()1??2017年,成会民院士等发展了一种氧辅助方法,在铜箔的(111)晶面快速生长了??

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Distance?(hiti}?■_:.細聊睡?z??图1-2?(a)?(b)卷成管状铜箔内侧和外侧生长石墨烯的AFM图;(c)?(a-b)图中位置的线扫??图;(d)?(e)卷成管状铜箔内侧和外侧生长石墨烯的SEM图[6()1??2017年,成会民院士等发展了一种氧辅助方法,在铜箔的(111)晶面快速生长了??米级别的单晶石墨烯,使得单晶石墨烯的制备成本下降了几个数量级[61\其原理图见图??1-3。??〇-??Temperature-gradient?driving?Oxide-assisted?epitaxial??Cu?monocrystallization?graphene?growth??图1-3米级单晶石墨烯薄膜超快制备方法的原理图??1.3.2?CVD制备三维泡沬石墨烯??CVD法制备的金属泡沫(泡沫铜、泡沫镍)三维石墨烯由于其具有宏观的三维骨??架结构,相比于二维石墨烯薄膜有更大的比表面积而多被用来作为基底材料。与氧化还??原法制备的三维石墨烯水凝胶和气凝胶相比,CVD三维泡沫石墨烯具有更少的缺陷因??此其导电性更好,使其在导电复合材料、超级电容器电极材料、生物催化、电化学传感??等许多领域得到广泛应用。??2011年成会明院士最先报道了利用泡沫镍制备三维石墨烯。他们通过化学气相沉积??法利用泡沫镍作为模板和催化剂制备了具有优异力学性能、高导电性等优点的三维石墨??烯。利用其相比于氧化还原法制备的石墨烯相具有缺陷少、良好的导电性、机械性能,??成会明等人将镍基底去除后获得具有连通骨架的三维石墨烯并将

示意图,制备装置,示意图,铜箔


到1050?°C,利用铜原子的蒸发,在气流的带动下,于600?°C的基板沉积,并将甲烷通??入反应设备,利用甲烷在高温下裂解制备出石墨烯包覆铜纳米粒子复合结构。将复合结??构用于拉曼增强散射,取得了良好的效果,反应装置及原理如图1-4[711。??(a)?600??〇?1050?4C??quartz?gas?flow??一-?10?cm?■?Ou?foil??V?,??\?V??/???卞??V?*?、>,??(b)?參??#。s????參#參??參參?.?'?、:、??:.'繁f纖餐纖魏撕??^?*14,?*???U?參??CH4?CNx?radicals?C?H?Ou?Cu?nanoparticles?G/CuNPs??图1-4?(a)制备装置示意图。包裹石英管壁的铜箔被用来供应铜纳米粒子同时作为催化剂,石??英衬底被放置在距离铜箔10厘米处;(b)漂浮的Cu和H催化CH4裂解生长石墨烯的原理图。Cu箔在??1050°C升华成铜原子,在一定浓度时形成铜纳米粒子。在HjDCtU混合气体的气氛下,石墨烯在Cu??纳米颗粒表面包覆生长[71]??Yang等人通过利用铜箔在气流带动作用下的蒸发,在不同水平面的沉积,加上高温??催化裂解甲烷,形成了石墨烯包覆铜纳米粒子的包覆结构,并应用于拉曼增强散射,得??到很好的效果。反应装置及原理如

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本文编号:2932738

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