基于MoS 2 /InN异质结纳米材料的制备及H 2 检测性能研究

发布时间：2021-01-02 17:29

　　二维过渡金属硫化物纳米材料和Ⅲ-Ⅴ族半导体纳米材料具有独特的物理特性及优异的电学性能,因而引起世界各国专家学者的广泛关注。本论文分别从MoS₂和InN纳米材料的生长制备与测试表征、MoS₂纳米材料光催化降解性能和由MoS₂/InN异质结纳米材料所构成的检测装置对H₂气体性能检测三方面进行相应的研究,包括:（1）归纳和总结了InN纳米材料和MoS₂纳米材料的晶体结构、物理基本特性和常见的一些制备方法,以及在微纳半导体器件和基于异质结器件的气体检测研究领域的应用情况。（2）在覆盖有60 nm胶体金的Si基底上利用化学气相沉积法（CVD）制备得到纳米线、纳米截角三角金字塔和纳米叶三种不同形貌的InN纳米材料。对三种材料的生长机理和发光特性进行详细的研究,其中InN纳米截角三角金字塔结构具有最强发光特性,预示着其可能在光学领域具有很好的应用前景。（3）利用化学气相沉积法生长MoS₂纳米材料,得到三角、四角、六角三种MoS₂纳米片层结构材料。经... 

【文章来源】：西南科技大学四川省

【文章页数】：87 页

【学位级别】：硕士

【文章目录】：
摘要
Abstract
1. 绪论
    1.1 纳米材料进展概述
        1.1.1 InN材料简介
2材料简介">        1.1.2 MoS₂材料简介
        1.1.3 常规制备纳米材料的方法
    1.2 异质结半导体纳米材料的研究现状及应用
        1.2.1 基于Ⅲ-Ⅴ族异质结材料的研究进展
        1.2.2 基于二维TMDs异质结材料的研究进展
        1.2.3 异质结半导体纳米材料的应用
2检测研究现状">    1.3 基于异质结材料的H₂检测研究现状
    1.4 本论文的研究意义、目标及内容
        1.4.1 课题研究意义
        1.4.2 课题研究目标
        1.4.3 课题研究内容
2. InN纳米材料的生长机理及光学性能研究
    2.1 实验仪器、材料与试剂
    2.2 InN纳米材料的生长
        2.2.1 InN纳米材料的沉积装置
        2.2.2 InN纳米材料的沉积过程
    2.3 结果与讨论
        2.3.1 InN纳米线的表征分析
        2.3.2 InN纳米叶的表征分析
        2.3.3 InN纳米截角三角金字塔的表征分析
        2.3.4 InN纳米结构的生长机理研究
        2.3.5 三种InN纳米结构材料的光学性能研究
    2.4 本章小结
2纳米材料的制备及光催化性能研究">3. MoS₂纳米材料的制备及光催化性能研究
    3.1 实验仪器、材料与试剂
2纳米材料的生长">    3.2 MoS₂纳米材料的生长
2纳米材料的制备装置">        3.2.1 MoS₂纳米材料的制备装置
2纳米材料的沉积过程">        3.2.2 MoS₂纳米材料的沉积过程
    3.3 结果与讨论
2纳米片的表征分析">        3.3.1 四角MoS₂纳米片的表征分析
2纳米片的表征分析">        3.3.2 六角MoS₂纳米片的表征分析
2纳米片的表征分析">        3.3.3 三角MoS₂纳米片的表征分析
2纳米材料的光催化性能研究">        3.3.4 MoS₂纳米材料的光催化性能研究
    3.4 本章小结
2/InN异质结材料的H₂检测器的制备及电学性能研究">4. 基于MoS₂/InN异质结材料的H₂检测器的制备及电学性能研究
    4.1 实验仪器、材料与试剂
2/InN纳米材料的制备">    4.2 异质结MoS₂/InN纳米材料的制备
2/InN纳米材料的结果分析">    4.3 异质结MoS₂/InN纳米材料的结果分析
2/InN异质结为基元的H₂检测器的制备及电学性能表征">    4.4 以MoS₂/InN异质结为基元的H₂检测器的制备及电学性能表征
2/InN异质结材料的气体检测装置设计">        4.4.1 基于MoS₂/InN异质结材料的气体检测装置设计
2/InN异质结材料气体检测装置的电学特性测试分析">        4.4.2 基于MoS₂/InN异质结材料气体检测装置的电学特性测试分析
2/InN异质结材料气体检测机理研究">        4.4.3 基于MoS₂/InN异质结材料气体检测机理研究
    4.5 本章小结
结论
致谢
参考文献
攻读硕士学位期间发表的学术论文及研究成果


【参考文献】：
期刊论文
[1]InN的光致发光特性研究[J]. 王健,谢自力,张荣,张韵,刘斌,陈鹏,韩平.  物理学报. 2013(11)
[2]纳米材料的研究进展[J]. 张建夫,任凯,庄保东.  周口师范学院学报. 2011(02)
[3]铟掺杂氧化锌纳米线的制备及光致发光特性[J]. 刘炳胜,韩仁学.  硅酸盐学报. 2010(02)
[4]抗肿瘤光催化氧化剂纳米TiO2的研究进展[J]. 黄金樵,程金妹,林昶.  山东大学耳鼻喉眼学报. 2008(05)
[5]半导体ZnO单晶生长的技术进展[J]. 李新华,徐家跃.  功能材料. 2005(05)
[6]InN材料及其应用[J]. 谢自力,张荣,毕朝霞,刘斌,修向前,顾书林,江若琏,韩平,朱顺明,沈波,施毅,郑有炓.  微纳电子技术. 2004(12)
[7]水热法制备高度取向的氧化锌纳米棒阵列[J]. 郭敏,刁鹏,蔡生民.  高等学校化学学报. 2004(02)
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硕士论文
[1]电沉积法制备纳米材料脉冲电源研制[D]. 谭俊.中南民族大学 2013
[2]一维氮化铟半导体纳米材料的合成与物性研究[D]. 黄大海.吉林大学 2012
[3]ZnO一维纳米结构的制备及其pH传感特性的研究[D]. 付莹.长春理工大学 2011
[4]GaSb基量子阱激光器材料的结构设计与特性表征[D]. 杜瀚洋.长春理工大学 2008



本文编号：2953339