InN及富铟InGaN薄膜的PEALD外延生长及性能研究

发布时间：2021-01-14 16:31

　　在近年来的半导体材料发展中,Ⅲ族氮化物在其中扮演了重要的角色。其中的GaN已经被广泛应用,而同族的InN的研究热潮正在掀起。InN在Ⅲ族氮化物中具有最小的有效电子质量、最大的电子饱和速率、最小的带隙和最高的电子迁移率等优异特性。这些独特的性质使得InN在太阳能电池、探测器、高频器件等领域有着广泛应用前景。Ⅲ族氮化物半导体能形成具有直接带隙的连续合金体系,带隙范围可从0.7 eV（InN）到6.2 eV（AlN）。在InGaN三元体系中,通过合适的组分控制可以实现0.7～3.4 eV的带隙可调,由此可以制备出近乎覆盖整个太阳光谱的太阳能电池。但是由于InN的分解温度低等限制,使得用传统技术生长高晶体质量的InN薄膜和富In组分的InGaN薄膜非常难以实现。本文采用PE-ALD生长InN和InGaN薄膜材料。针对InN的生长,本文寻找了生长的ALD窗口,对生长温度、等离子体功率、生长衬底等都进行了探究。本文首先研究了 ALD生长的温度窗口;接下来,由于PE-ALD不同于传统的热ALD,本文也针对等离子体的功率进行研究,观察射频功率对晶体质量的影响;对基本的生长参数进行优化之后,本文选择了几... 

【文章来源】：南昌大学江西省 211工程院校

【文章页数】：49 页

【学位级别】：硕士

【图文】：

图４?ＡＬＤ生长Ａ１２０３??Ｆｉｇｕｒｅ?４?ｔｈｅ?ｇｒｏｗｔｈ?ｐｒｏｃｅｓｓ?ｏｆ?ＡＩ２Ｏ３?ｂｙ?ＡＬＤ??

图５?ＡＬＤ生长Ａ１２０３??Ｆｉｇｕｒｅ?５?ｔｈｅ?ｇｒｏｗｔｈ?ｐｒｏｃｅｓｓ?ｏｆ?ＡＩ２Ｏ３?ｂｙ?ＡＬＤ??

图６?ＡＬＤ生长Ａ１２０３??Ｆｉｇｕｒｅ?６?ｔｈｅ?ｇｒｏｗｔｈ?ｐｒｏｃｅｓｓ?ｏｆ?ＡＩ２Ｏ３?ｂｙ?ＡＬＤ??

【参考文献】：
期刊论文
[1]CIGS双梯度带隙吸收层的制备及特性[J]. 李强,康振锋,刘文德,郑平平,肖玲玲,范悦,薄青瑞,齐彬彬,丁铁柱.  真空. 2014(01)



本文编号：2977175