SPS法制备Si/Al电子封装材料研究

发布时间：2021-01-18 09:24

　　采用放电等离子烧结（SPS）技术+粉末冶金法来制备低膨胀、低密度、高导热的Si/Al电子封装材料。通过测定和对比不同SPS烧结工艺参数下的电子封装材料的性能,分析工艺参数（烧结压力、烧结温度、Si含量）对烧结样性能（致密度、热导率、热膨胀系数）的影响规律,探讨其影响机制。结果表明:控制烧结温度为550℃,烧结压力48MPa,Si含量为50vol%可制备制备低膨胀、低密度、高导热的Si/Al电子封装材料,其致密度可达96%,热导率可达120W/（m·K）,热膨胀系数可达11 mm/K。 

【文章来源】：热加工工艺. 2020,49(06)北大核心

【文章页数】：5 页

【文章目录】：
1 实验过程及方法
2 实验结果和讨论
    2.1 致密度的影响因素及分析
        2.1.1 烧结压力对致密度的影响
        2.1.2 烧结温度对致密度的影响
    2.2 导热率的影响因素及分析
        2.2.1 烧结压力对导热率的影响
        2.2.2 Si含量对导热率的影响
    2.3 热膨胀系数的影响因素及分析
        2.3.1 烧结温度对热膨胀系数的影响
        2.3.2 Si含量对材料热膨胀系数的影响
3 结论


【参考文献】：
期刊论文
[1]界面设计对Sip/Al复合材料组织和性能的影响[J]. 刘猛,白书欣,李顺,赵恂,熊德赣.  材料工程. 2014(08)
[2]喷射成形70Si30Al电子封装材料致密化处理及组织性能研究[J]. 刘红伟,张永安,朱宝宏,王锋,魏衍广,熊柏青.  稀有金属. 2007(04)
[3]热压法制备Si-Al电子封装材料及其性能[J]. 冯曦,郑子樵,李世晨,杨培勇.  稀有金属. 2005(01)
[4]Si-Al电子封装材料粉末冶金制备工艺研究[J]. 杨培勇,郑子樵,蔡杨,李世晨,冯曦.  稀有金属. 2004(01)



本文编号：2984701