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磁纳米有序结构阵列薄膜制备及其磁光效应

发布时间:2021-01-20 10:12
  多模磁性纳米材料已成为节能型数据存储和处理技术的关键材料,同时该材料也是高灵敏度磁光传感器和磁测量装置用基础功能材料。它们在高密度磁光传感/存储、非互易器件、激光陀螺、高效远程通讯、太阳能利用、自旋电子器件(自旋霍尔和逆自旋霍尔)、宽波隐身材料、多模生物分子探针、磁-光-电-生物信号超快耦合器等领域具有重要甚至不可或缺(如微型磁光隔离器、环形器)的应用。研究发现单纯利用块体材料或单一磁性材料薄膜已经很难达到显著增强磁光效应、线性以及非线性光学信号、光磁、自旋和逆自旋霍尔效应的目的。因此,近年来对磁光效应材料的研究已经由磁性块体和单一的连续薄膜结构发展到具有周期性孔、条、圆盘等形状的阵列以及由铁磁金属、贵金属、半导体层等构成的多级复合纳米结构的颗粒和薄膜上来。研究发现这类结构可以通过改变结构参数(柱点孔、盘的半径、阵列周期、薄膜厚度以及组成等)来实现单种或多种共振模式的激发,从而实现磁性材料在外磁场作用下对磁光信号的调控。尽管人们已经从材料、结构、尺寸等各个方面对具有磁光特性的纳米结构晶体进行优化设计并且获得优良的磁光特性和光学特性,然而如何大面积制备结构可控、规整可识的纳米阵列结构并研... 

【文章来源】:北京科技大学北京市 211工程院校 教育部直属院校

【文章页数】:133 页

【学位级别】:博士

【部分图文】:

磁纳米有序结构阵列薄膜制备及其磁光效应


图1-2?p偏振光和s偏振光??

偏振光,反射强度,入射波,透射系数


?El?*e2??Hi?H2??图1-3?(a)分界面上的s偏振光入射波和(b)?p偏振光入射波,(?>?tt2)??如图1-3?(a)所示的s偏振的入射波,结合折射定律,反射系数可以表??示为??n1cos91?—?n2cosd2?sin^d-i?—?02)?(1?^??Ts?n1cosdl?+?n2cos02?sin{G2?+?^i)??透射系数为??2n1cos91?2sind2cosd1?(1??ts?HiCosSi?+?n2cosd2?sln{62?+?0i)??如图卜3?(b)对于p偏振的入射波,反射系数为??rv^cosh?—?n^cosG〗?tan{Gx?—?d2)??Tp?n2cos91?+?riiCos^?tan(02?+?〇\)??透射系数??sin261??t?=?l??(1?—?9)??p?sin(d2?+?01)cos(01?-?d2)??4??

磁化方向,入射面,相对位置,磁光克尔效应


通过比较两种不同形式的偏振光的反射系数和透射系数我们不难发现,??对于样品而言,选用不同的偏振光得到的反射率和透射率有很大的差别。如??图1-4?(a)和(b)所示为用横向磁光克尔测试系统测得的沉积在带有铝基底??的多孔阳极氧化铝模板上的W/CoFeB/W三明治结构分别在s偏振光和p偏??振光下的反射光强度。从中可以明显的看出两种线偏光反射谱线的巨大差异。??■■??图1-4?(a)样品在S偏振光下的反射强度以及(b)样品在p偏振光下的反射强度??同样,不同形式的偏振光在某些情况下得到的磁光效应也有着本质的不??同,这里我们将在本文1.2.2节中进行详细的阐述。对于磁光效应我们主要介??绍最常研究的磁光克尔效应和磁光法拉第效应。??1.2.1磁光克尔效应??在物理领域磁光克尔效应(Magneto-optical?Kerr?Effect,?MOKE)或者表??而磁光克尔效应(Surface?Magneto-optical?Kerr?Effect,SMOKE)是众多磁光??效应的一种。它描述了线偏振光经过与磁化后的物质相互作用后反射光偏振??态(角度和椭偏率)的改变。具体物理过程可以描述为:当一束线偏振光入??射到磁性物质表面时,由于自旋-轨道耦合效应,反射光将在原来的偏振方向??的垂直方向上出现新的偏振态,从而变为一束椭圆偏振光。椭圆偏振光的长??轴相对于原来入射光的偏振方向会有一定的偏转角度这个角度就叫做磁光克??尔角(60,其中椭圆长短轴的比值叫做椭偏率(<p)。总的磁光克尔效应可以??

【参考文献】:
期刊论文
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本文编号:2988857

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