界面改性对SiC p /Cu复合材料导热性能的影响

发布时间：2021-02-05 19:44

　　采用磁控溅射法结合结晶化热处理工艺在SiC颗粒表面成功制备了金属Mo涂层,分析Mo涂层的成分和形貌;采用热压烧结工艺制备SiCp/Cu复合材料,重点对比分析Mo界面阻挡层厚度对复合材料导热性能的影响。结果表明:磁控溅射法能够在SiC颗粒表面沉积得到Mo涂层,随溅射时间的延长,Mo涂层的厚度增加、粗糙度增大,且磁控溅射后SiC颗粒表面直接得到的Mo涂层为非晶态,结晶化热处理后,变为致密平整的晶态Mo涂层。磁控溅射时间对Mo涂层厚度和复合材料导热性能影响明显。随磁控溅射时间的增加,复合材料的热导率呈先增后减趋势。采用磁控溅射9h镀Mo改性并经过800℃结晶化热处理的SiC复合粉体在850℃下热压烧结制备的SiCp/Cu复合材料（VSiC=50%）,其热导率达到了最高值274.056W/（m·K）。 

【文章来源】：国防科技大学学报. 2016,38(01)北大核心

【文章页数】：6 页

【文章目录】：
1 实验
2 结果与讨论
    2. 1 磁控溅射Si C颗粒表面Mo涂层的成分与形貌分析
    2. 2 磁控溅射时间对Si Cp/ Cu复合材料导热性能的影响
3 结论


【参考文献】：
期刊论文
[1]微颗粒表面磁控溅射镀金属膜[J]. 俞晓正,徐政,沈志刚.  过程工程学报. 2006(S2)



本文编号：3019475