电磁屏蔽性能优异的AgNWs-Ti 3 C 2 T x 复合薄膜的制备
发布时间：2021-02-11 06:08
随着电磁屏蔽领域的发展,传统的金属等材料的弊端日现,因此急切地需要电磁屏蔽性能优异、机械性能和稳定性较好的材料来满足电子设备及人类健康等需求。经过本文的讨论,复合材料将会成为今后电磁屏蔽材料的发展趋势,而质轻复合材料为材料本身带来的高性能以及人类使用时的便捷性成为当下的研究方向。本文以质轻复合材料为蓝图,设计了一种高导电、高度多孔的AgNWs/Ti3C2Tx复合薄膜,并深入研究了该复合薄膜的电磁屏蔽性能、机械性能和稳定性,探究其主要的屏蔽机制。论文主要包含以下几个方面:（1）首先针对选材问题,研究了不同直径的AgNWs和不同厚度Ti3C2Tx对最终制备的薄膜的影响,尤其是电导率的影响。研究发现直径较粗的AgNWs所制备的薄膜具备较高的电导率,其中直径～150 nm的AgNWs（即粗线）制备的薄膜电导率约为12345 S/cm。这主要是由于直径较大的AgNWs横截面积越大,对于单根AgNW的电阻也就越小。同时剥离之后的Ti3C2Tx（即少层Ti3C2Tx）制备的薄膜具备较高的电导率,大约为1793 S/cm。这主要是由于少层Ti3C2Tx薄膜的电子传输时碰撞几率降低,电子迁移率提高。因此...
【文章来源】：中国科学技术大学安徽省 211工程院校 985工程院校
【文章页数】：112 页
【学位级别】：硕士
【部分图文】：
图１．１入射电磁辐射的衰减机制【４１１
?第１章绪论???（１．４）所示，其中／、＃、Ｃ７分别指频率、磁导率和电导率［４６］。当样品的厚度大??于趋肤深度时吸收的电磁波远大于反射的电磁波，这时则可以忽略多次反射带??来的影响，在屏蔽过程可以当做只有反射和吸收两种情况。将趋肤深度公式??（１．４）带入至公式（１．３）中则电磁屏蔽效能（见）可以表示为公式（１．５）?［４１，??４７］０??Ｓ＝?．?１?（１．４）??７咖〇■??＇?／?Ｎ］?（＾?〇?７?，?＼??ＳＥ＝?３９．５?＋?１０１ｏｇ?－＾―?＋?－ｆ＝?（１．５）??ＰＯＲＴ?１?８１２??Ａ?ｓｔｉ??ＥＭＩ?Ｓｈｉｅｌｄｉｎｇ??Ｍａｔｅｒｉａｌ??Ｓ２１?ＰＯＲＴ?２??图１．２双端口电磁干扰屏蔽材料的散射参数［４６１。??在实验中，为了测得一个屏蔽材料的电磁屏蔽效能（Ｓ￡）以及反射损耗??（又心）和吸收损耗（＾私），需要通过网络分析仪测试出电磁辐射的散射参数??（Ｓ参数），如图１．２所示：知（或知）和此（或＊１），并通过公式（１．６）、??（１．７）计算得出电磁波的反射系数（／？）和透射系数（ｎ?，由于电磁波总能??量守恒，可以由公式（１．８）得出吸收系数（ｄ）?［４８】。??Ｒ?＝?ＳＵ２?（１．６）??Ｔ?＝?Ｓ２ｉ２?（１．７）??＾?＝?ｌ－（＾?＋?ｒ）?（１．８）??进而通过各部分效能的公式（１．９）、（１．１０）和（１．１１），并将得到的３＂、??儿／？带入计算可得见、见只和５＾丨４８肩。??４??
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本文编号：3028654
【文章来源】：中国科学技术大学安徽省 211工程院校 985工程院校
【文章页数】：112 页
【学位级别】：硕士
【部分图文】：
图１．１入射电磁辐射的衰减机制【４１１
?第１章绪论???（１．４）所示，其中／、＃、Ｃ７分别指频率、磁导率和电导率［４６］。当样品的厚度大??于趋肤深度时吸收的电磁波远大于反射的电磁波，这时则可以忽略多次反射带??来的影响，在屏蔽过程可以当做只有反射和吸收两种情况。将趋肤深度公式??（１．４）带入至公式（１．３）中则电磁屏蔽效能（见）可以表示为公式（１．５）?［４１，??４７］０??Ｓ＝?．?１?（１．４）??７咖〇■??＇?／?Ｎ］?（＾?〇?７?，?＼??ＳＥ＝?３９．５?＋?１０１ｏｇ?－＾―?＋?－ｆ＝?（１．５）??ＰＯＲＴ?１?８１２??Ａ?ｓｔｉ??ＥＭＩ?Ｓｈｉｅｌｄｉｎｇ??Ｍａｔｅｒｉａｌ??Ｓ２１?ＰＯＲＴ?２??图１．２双端口电磁干扰屏蔽材料的散射参数［４６１。??在实验中，为了测得一个屏蔽材料的电磁屏蔽效能（Ｓ￡）以及反射损耗??（又心）和吸收损耗（＾私），需要通过网络分析仪测试出电磁辐射的散射参数??（Ｓ参数），如图１．２所示：知（或知）和此（或＊１），并通过公式（１．６）、??（１．７）计算得出电磁波的反射系数（／？）和透射系数（ｎ?，由于电磁波总能??量守恒，可以由公式（１．８）得出吸收系数（ｄ）?［４８】。??Ｒ?＝?ＳＵ２?（１．６）??Ｔ?＝?Ｓ２ｉ２?（１．７）??＾?＝?ｌ－（＾?＋?ｒ）?（１．８）??进而通过各部分效能的公式（１．９）、（１．１０）和（１．１１），并将得到的３＂、??儿／？带入计算可得见、见只和５＾丨４８肩。??４??
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