二维材料α-TiCl 3 和α-TiBr 3 的磁性与结构关联的探究
发布时间：2021-02-24 10:10
二维层状的过渡金属卤化物种类繁多并且具有非常有趣的晶体学和磁性行为。在一些过渡金属卤化物中观察到由温度或压力的变化引起的相变,相变后材料的结构和性能会发生变化,材料的结构和磁性的关联也是目前研究的一大热点。α-TiCl3单晶和α-TiBr3单晶都是典型的范德瓦尔斯晶体,层内由Ti3+形成六边形的蜂巢状结构,层间依靠较弱的范德瓦尔斯力结合。由于二者都极不稳定,所以目前对它们的研究并不多。之前的报道已经证实α-TiCl3单晶在220 K附近发生了由于Ti3+的二聚化引起的结构相变,但α-TiBr3单晶的相变机理尚在研究。本论文制备了二维层状的α-TiCl3单晶和α-TiBr3单晶,并利用X射线衍射分析（XRD）和能量色散X射线谱（EDS）确定单晶成分和质量,通过变温XRD和比热测量发现了α-TiBr3单晶在180 K附近的结构相变,利用磁化率和变温拉曼光谱探究了α-TiBr3单晶在相变前后材料的结构与磁性的关联。对α...
【文章来源】：哈尔滨工业大学黑龙江省 211工程院校 985工程院校
【文章页数】：73 页
【学位级别】：硕士
【部分图文】：
石墨烯的结构与能带[7]
哈尔滨工业大学工程硕士学位论文-4-金属原子M为Mo原子或W原子时，形成的化合物均为稳定的2H相半导体；而当金属原子M为Nb原子或V原子时，形成的化合物均为具有金属性的化合物。我们还发现所有MO2材料都是间接带隙的半导体，而其他组分的材料则通常是直接带隙的半导体。图1-2过渡金属硫族化合物典型的1T、2H和3R三种结构[19]图1-344种过渡金属硫族化合物的稳定性及半导体性质的总结[15]MoS2是一种典型的TMDs材料，2H相是其在热力学上最稳定存在结构。MoS2的层状结构由六边形组成，在晶格中Mo原子和S原子交替位于六边形的角上，范德瓦尔斯力将相邻的两层结合在一起形成堆叠结构，所以MoS2极易发生层与层之间的滑移，它也因此而成为固体润滑领域的佼佼者。MoS2与零带隙石墨烯和绝缘六方氮化硼最不同的显着特征是块状MoS2是具有间接带隙的半导体，块体MoS2的带隙为1.29eV，更令人感兴趣的是，随着MoS2厚
哈尔滨工业大学工程硕士学位论文-4-金属原子M为Mo原子或W原子时，形成的化合物均为稳定的2H相半导体；而当金属原子M为Nb原子或V原子时，形成的化合物均为具有金属性的化合物。我们还发现所有MO2材料都是间接带隙的半导体，而其他组分的材料则通常是直接带隙的半导体。图1-2过渡金属硫族化合物典型的1T、2H和3R三种结构[19]图1-344种过渡金属硫族化合物的稳定性及半导体性质的总结[15]MoS2是一种典型的TMDs材料，2H相是其在热力学上最稳定存在结构。MoS2的层状结构由六边形组成，在晶格中Mo原子和S原子交替位于六边形的角上，范德瓦尔斯力将相邻的两层结合在一起形成堆叠结构，所以MoS2极易发生层与层之间的滑移，它也因此而成为固体润滑领域的佼佼者。MoS2与零带隙石墨烯和绝缘六方氮化硼最不同的显着特征是块状MoS2是具有间接带隙的半导体，块体MoS2的带隙为1.29eV，更令人感兴趣的是，随着MoS2厚
【参考文献】：
博士论文
[1]二维铁磁材料的制备及其自旋器件的研究[D]. 冯超.中国科学技术大学 2019
硕士论文
[1]二维磁性材料CuCrP2S6的拉曼特性[D]. 易康源.哈尔滨工业大学 2019
本文编号：3049214
【文章来源】：哈尔滨工业大学黑龙江省 211工程院校 985工程院校
【文章页数】：73 页
【学位级别】：硕士
【部分图文】：
石墨烯的结构与能带[7]
哈尔滨工业大学工程硕士学位论文-4-金属原子M为Mo原子或W原子时，形成的化合物均为稳定的2H相半导体；而当金属原子M为Nb原子或V原子时，形成的化合物均为具有金属性的化合物。我们还发现所有MO2材料都是间接带隙的半导体，而其他组分的材料则通常是直接带隙的半导体。图1-2过渡金属硫族化合物典型的1T、2H和3R三种结构[19]图1-344种过渡金属硫族化合物的稳定性及半导体性质的总结[15]MoS2是一种典型的TMDs材料，2H相是其在热力学上最稳定存在结构。MoS2的层状结构由六边形组成，在晶格中Mo原子和S原子交替位于六边形的角上，范德瓦尔斯力将相邻的两层结合在一起形成堆叠结构，所以MoS2极易发生层与层之间的滑移，它也因此而成为固体润滑领域的佼佼者。MoS2与零带隙石墨烯和绝缘六方氮化硼最不同的显着特征是块状MoS2是具有间接带隙的半导体，块体MoS2的带隙为1.29eV，更令人感兴趣的是，随着MoS2厚
哈尔滨工业大学工程硕士学位论文-4-金属原子M为Mo原子或W原子时，形成的化合物均为稳定的2H相半导体；而当金属原子M为Nb原子或V原子时，形成的化合物均为具有金属性的化合物。我们还发现所有MO2材料都是间接带隙的半导体，而其他组分的材料则通常是直接带隙的半导体。图1-2过渡金属硫族化合物典型的1T、2H和3R三种结构[19]图1-344种过渡金属硫族化合物的稳定性及半导体性质的总结[15]MoS2是一种典型的TMDs材料，2H相是其在热力学上最稳定存在结构。MoS2的层状结构由六边形组成，在晶格中Mo原子和S原子交替位于六边形的角上，范德瓦尔斯力将相邻的两层结合在一起形成堆叠结构，所以MoS2极易发生层与层之间的滑移，它也因此而成为固体润滑领域的佼佼者。MoS2与零带隙石墨烯和绝缘六方氮化硼最不同的显着特征是块状MoS2是具有间接带隙的半导体，块体MoS2的带隙为1.29eV，更令人感兴趣的是，随着MoS2厚
【参考文献】：
博士论文
[1]二维铁磁材料的制备及其自旋器件的研究[D]. 冯超.中国科学技术大学 2019
硕士论文
[1]二维磁性材料CuCrP2S6的拉曼特性[D]. 易康源.哈尔滨工业大学 2019
本文编号：3049214
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