热壁外延制备CdSe/InAs/Si（211）薄膜材料及其性能

发布时间：2021-03-11 19:42

　　CdSe作为重要的Ⅱ-Ⅵ族半导体材料,两种结构的CdSe晶体室温禁带宽度分别为1.75 eV和1.9 eV,其可用于光电应用等领域,如光电探测或太阳能转换,具有广阔的应用前景和重要的理论研究价值。本论文采用热壁外延（Hot Wall Epitaxy,HWE）技术,在单面抛光的单晶Si（211）衬底表面上首先制备了 InAs薄膜材料,而且通过热处理对InAs薄膜进行优化处理,以降低Si与CdSe之间的晶格和热膨胀失配,最后在InAs表面探究制备了 CdSe薄膜。CdSe/InAs/Si（211）薄膜的结构、成分、表面形貌借助XRD、SEM、AFM等检测手段完成分析,光学和电学性能分别借助傅里叶转换红外光谱（FT-IR）、紫外可见吸收光谱（UV-vis）及霍尔（Hall）测试系统等分析测试手段,研究了衬底温度、蒸发源温、不同的Cd/Se比例对InAs/Si（211）薄膜以及CdSe/InAs/Si（211）薄膜表面的结构、形貌以及光电性能的影响,实验结果如下:1.采用热壁外延（Hot Wall Epitaxy,HWE）技术在单面抛光的单晶Si（211）衬底表面制备了 InAs薄膜,研究了不... 

【文章来源】：昆明理工大学云南省

【文章页数】：80 页

【学位级别】：硕士

【部分图文】：

红外探测器工作原理图

图１．２金刚石型晶胞的晶体结构??Ｆｉｇ．?１．２?Ｃｒｙｓｔａｌ?ｓｔｒｕｃｔｕｒｅ?ｏｆ?ｄｉａｍｏｎｄ??

图１．４?ＣｄＳｅ的晶胞示意图??Ｆｉｇ．?１．４?Ｓｃｈｅｍａｔｉｃ?ｄｉａｇｒａｍ?ｏｆ?ＣｄＳｅ?ｃｅｌｌ??

【参考文献】：
期刊论文
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硕士论文
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本文编号：3076984