(SiC) p 表面修饰及吸波性能研究

发布时间：2021-03-19 14:05

　　目的提高（SiC）_P的吸波性能。方法采用低成本、环保型的化学镀镍方法对（SiC）_P表面进行修饰,设计了氧化、亲水、敏化、活化系列增强前处理工艺,确定了（SiC）_P表面修饰的最佳工艺流程。用SEM、EDS、XRD等分别表征了修饰前后（SiC）_P形貌、成分、物相的改变,采用波导法测定了修饰后碳化硅复合粉体的介电性能,并以其为吸波剂在铝板上制备了吸波材料。结果修饰后,获得了镀层连续、无光滑（SiC）_P裸露的较高质量的碳化硅复合粉体（简写为（Ni/SiC）_P）。（Ni/SiC）_P较原粉（SiC）_P,其形貌、组成、结构发生了明显改变,且介电常数、介电损耗、吸波性能明显增强,其中,介电常数的实部增强约为22%,虚部增强约为20%。涂覆1层（Ni/SiC）_P涂料,在17.12 GHz时,RL=-15.47 dB,大于涂敷2层原粉（SiC）_P涂料的吸收效果。涂覆2层（Ni/SiC）

【文章来源】：表面技术. 2020,49(02)北大核心

【文章页数】：7 页

【文章目录】：
1 实验
    1.1 试剂与原料
    1.2 试样制备
        1.2.1（SiC）P的前处理
        1.2.2（SiC）P的修饰工艺
        1.2.3 表征方法
2 结果及分析
    2.1 Ni纳米晶的沉积及Ni修饰前后（SiC）P的结构表征
        2.1.1 Ni纳米晶的沉积
        2.1.2 实物比较
        2.1.3 形貌及成分
        2.1.4 物相分析
    2.2 修饰前后（SiC）P的性能分析
        2.2.1 涂层制备
        2.2.2（Ni/SiC）P的介电性能
        2.2.3（Ni/SiC）P的吸波性能
        2.2.4（Ni/SiC）P的介电增强机理分析
3 结论


【参考文献】：
期刊论文
[1]镍基纳米（SiC）P化学复合镀层的研究[J]. 宿辉,张兆国,尹志娟.  表面技术. 2010(02)
[2]化学镀制备Ni包覆纳米SiC核壳颗粒及其介电响应[J]. 邹桂真,曹茂盛,张亮,金海波,宿辉,王正平.  无机材料学报. 2006(04)
[3]SiC颗粒的表面修饰及结构表征[J]. 宿辉,曹茂盛,王正平,邹桂真.  材料工程. 2005(02)
[4]SiC纳米/微米粒子表面修饰、涂覆的研究进展[J]. 宿辉,邹桂真,曹茂盛.  材料工程. 2004(10)



本文编号：3089702