氮化硼/聚酰亚胺薄膜的制备与性能研究

发布时间：2021-03-26 20:36

　　氮化硼（BN）是一种宽带隙的材料,具有良好的机械性能和化学稳定性,同时因为其具有较强的中子吸收能力,在抗辐射材料方面也得到广泛重视。然而,将氮化硼引入高分子聚合物时,由于无机-有机混合物间的相互作用力较弱,氮化硼在有机聚合物中分散性较差,制备的复合材料表面不均匀,力学性能较差。目前的研究趋势是将氮化硼表面进行修饰改性,使其表面具备可与有机高分子进行化学键合的基团。聚酰亚胺（PI）是一种应用非常广泛的高分子材料,具有较好的热学、力学、电学性能和抗辐射性能,可作为制备抗辐射复合材料的基体。本文中提供一种新型的氮化硼和聚酰亚胺复合的方法:通过用不同的硅烷偶联剂修饰氮化硼,提高氮化硼在聚酰亚胺基体中的分散性,制备氮化硼/聚酰亚胺复合材料。在此基础上,为了满足高能电子辐射要求,引入纳米铅,制备厚度为1.0 mm以上的三明治结构三层聚酰亚胺复合材料（PI/PI（Pb）/PI）和五层聚酰亚胺复合材料（PI/PI（MWNT-NH₂）/PI（Pb）/PI（MWNT-NH₂）/PI）。具体研究内容如下:1.不同硅烷偶联剂表面改性氮化硼。用甲基三乙氧基硅烷和γ-氨... 

【文章来源】：东南大学江苏省 211工程院校 985工程院校 教育部直属院校

【文章页数】：47 页

【学位级别】：硕士

【部分图文】：

康普顿效应示意图

东南大学硕士学位论文图 1-2 康普顿效应示意图一个具有足够能量的光子在接近原子核时，在，将其所有能量全部释放并消失的过程。较高传递给介质分子或原子，因此正电子本身迅速完全热化后，将与介质分子或原子中的电子发为 0.51 MeV 的相反方向的γ光子，这个过程为

而产生两个能量为 0.51 MeV 的相反方向的γ光子，这个过程为光化辐射或湮灭 1-3）[15]。图 1-3 电子对生成示意图这三种效应发生的可能性与γ光子的能量和物质的原子序数密切相关，如图 1-（1）在低能γ射线(0.01 MeV~5 MeV)与较高原子序数吸收物质处，光电效应占（2）在中等γ射线与较低原子序数吸收物质处，以康普顿效应为主;（3）在高能γ射线(15.0 MeV~100 MeV)与高原子序数吸收物质处，以电子对效

【参考文献】：
期刊论文
[1]键合铅离子的聚酰亚胺材料的制备及辐射屏蔽性能研究[J]. 郭玲香,宗德超,林保平,杨洪.  高分子学报. 2015(10)
[2]侧链含邻苯二甲酰亚胺的聚酰亚胺液晶垂直取向剂的制备与表征[J]. 夏森林,易龙飞,孙振,向诘然,汪映寒.  高分子学报. 2013(11)
[3]可溶性侧链含萘聚酰亚胺的合成与性能[J]. 夏蔚青,肖才华,贾小乐,王雷.  高等学校化学学报. 2013(11)
[4]聚酰亚胺/纳米硼酸铅复合薄膜制备及表征[J]. 董伟,刘宇光,侯静,周巍,张晓东.  黑龙江科学. 2013(08)
[5]浅析煤矿企业射线应用仪的辐射防护[J]. 郭朝选,李小明,罗晓渭.  价值工程. 2012(35)
[6]聚酰亚胺合成及改性的研究进展[J]. 赵丽萍,寇开昌,吴广磊,卓龙海.  工程塑料应用. 2012(12)
[7]耐热型防辐射聚酰亚胺复合材料的试验研究[J]. 翟宝清.  铸造技术. 2011(10)
[8]聚酰亚胺复合材料的防辐射性能设计[J]. 王铎.  宇航材料工艺. 2011(05)
[9]聚酰亚胺树脂改性研究进展[J]. 赵祎程,姚军燕,付建勇,杨渊.  中国胶粘剂. 2011(08)
[10]聚酰亚胺材料研究进展[J]. 朱小兰,唐建君.  科技传播. 2010(21)

硕士论文
[1]基于金属功能粒子的高分子基辐射屏蔽材料制备及性能研究[D]. 张瑜.南京航空航天大学 2011
[2]环氧树脂基辐射防护材料的制备及性能研究[D]. 张亚丽.南京航空航天大学 2010
[3]核电工作和医用放射场所屏蔽低能光子的稀土基辐射防护材料的研究[D]. 李江苏.南京航空航天大学 2010
[4]聚合物/铅辐射防护材料的制备及其辐射屏蔽性能研究[D]. 沈孝红.南京航空航天大学 2008
[5]PET显像系统物理过程的分析与模拟[D]. 吴国城.东北大学 2008
[6]新型稀土/橡胶复合材料的制备及其防辐射性能和磁性能的研究[D]. 贺磊.北京化工大学 2005



本文编号：3102213