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CCTO/PVDF复合材料介电性能及界面相容性研究

发布时间:2021-04-05 20:24
  随着电子和电气工业的发展,电子元器件正在向着小型化、高速化方向迅速发展,储能指标作为电子元器件中的一项关键指标,长久以来受到广泛关注。各国专家学者正在研究具有更高的介电常数、更低的介电损耗,以及加工性能更加优异的储能介电材料。随着研究的不断深入,制备得到的储能介电复合材料种类越来越多,不仅如此,研究发现,由于复合材料两相间界面相容性的好坏对复合材料的各项性能有着明显影响,因此为改善复合材料两相界面相容性国内外学者做了很多尝试。对于表征观察复合材料分散界面相容性问题,也进行了很多研究,目前绝大多数研究只停留在复合材料的定性分析,只有少数研究人员通过运用数字图像处理技术,探索了定量表征复合材料两相界面相容性的方法。本文采用不同种类和不同质量分数的偶联剂对具有巨介电性能的钛酸铜钙CCTO进行改性,并将改性之后的CCTO与溶于N,N二甲基甲酰胺DMF中的聚偏氟乙烯PVDF溶液混合,随后旋转涂覆制成复合薄膜,从而得到不同种类和不同质量分数偶联剂改性CCTO/PVDF复合薄膜。并且,对改性后的复合材料进行形貌分析(SEM)、结构分析(XRD)、红外分析(FT-IR)以及介电性能和耐压强度分析。最后... 

【文章来源】:北京理工大学北京市 211工程院校 985工程院校

【文章页数】:98 页

【学位级别】:硕士

【部分图文】:

CCTO/PVDF复合材料介电性能及界面相容性研究


纳米颗粒和微米颗粒的界面示意图

示意图,核壳,热导率,复合材料


图 1.4 给出了 AlN 板多层堆叠和树脂的热传导阻力。其中,界面的热传导阻力为 10-6m2·kW-1。通过聚合物和铝之间的机械接触界面测得热阻的范围是 10-4~m2·kW-1。另一方面,通过与聚乙烯和金刚石之间的共价键合界面,使用 MD 模型算可得热电阻为 10-9m2·kW-1。可知,有机/无机界面的热阻应该在上述两种情况之由于填料分为微米或纳米尺寸,当其分散在有机基质中时会引起在界面上数量的显不同,从而对复合材料热阻的影响变得尤为重要。此外,用有机物改性后的界面热比未改性的无机界面热阻小。这表明有机物改性的无机表面可以有效地减少界面阻。除此之外,还有学者对复合材料的光学性能、拉伸性能及动态力学性能的影响进行了研究[51]。图 1.3 复合材料热导率的核壳模型示意图[50]

示意图,介电损耗,相对介电常数,热传导


图 1.4 给出了 AlN 板多层堆叠和树脂的热传导阻力。其中,界面的热传导阻力约为 10-6m2·kW-1。通过聚合物和铝之间的机械接触界面测得热阻的范围是 10-4~10-22-1图 1.3 复合材料热导率的核壳模型示意图[50]图 1.2 未掺杂、nano-TiO2或 micro-TiO2/Epoxy 的相对介电常数和介电损耗[46]

【参考文献】:
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本文编号:3120044

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