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新型14族硫属光电材料合成与性质研究

发布时间:2021-04-06 11:46
  具有合适的带隙、高吸收系数和高载流子浓度的CdTe、CuIn1-xGaxSe2(CIGS)、Cu2ZnSnS4(CZTS)等硫属化合物是理想的光电材料。其中CdTe和CIGS材料的成功商业化推动了太阳能电池的发展。但Cd元素具有毒性,In、Ga为稀缺金属,不利于大规模应用。另一方面,目前受到广泛研究的CZTS和FeS2等代表性硫属光电材料的性能不佳,无法获得高效率器件。因此,有必要开展廉价无污染的新型高性能硫属光电材料探索研究,满足太阳能电池可持续发展的需求。14族元素Si、Ge和Sn,以及Fe元素具有价格低廉、环境友好的优点,并且能够与硫属元素形成多样的配位,丰富的结构,有利于形成新型硫属化合物。本论文以Si、Ge、Sn和Fe元素为结构基元,从获得高吸收系数和合适带隙的角度出发,设计合成新型硫属光电材料,并对其结构和物理性质进行了全面的研究。1.本征中间带材料。为了获得高吸收系数的材料,本部分工作选取适当元素调节14族元素硫属化合物的本征中间带。获得了6... 

【文章来源】:中国科学院大学(中国科学院上海硅酸盐研究所)上海市

【文章页数】:112 页

【学位级别】:博士

【部分图文】:

新型14族硫属光电材料合成与性质研究


中间带能带结构示意图

示意图,晶体结构,示意图,带隙


图 1.2 CdTe 的晶体结构示意图。Figure 1.2 Structure diagram of CdTe.光伏材料材料CuIn1-xGaxSe2为CuInSe2和CuGaSe,结构可以看做闪锌矿的变体,空间群过共顶点的形式连接形成连续扩展的三 1。CuInSe2带隙 1.04 eV,CuGaSe2带隙axSe2的带隙在 1.04 1.68 eV 范围内连级缺陷 Cu 空位容易形成,使得 CuIn1-x

示意图,晶体结构,示意图,带隙


图 1.2 CdTe 的晶体结构示意图。Figure 1.2 Structure diagram of CdTe.基硫属化合物光伏材料的Cu基光电材料CuIn1-xGaxSe2为CuInSe2和CuGaSe2的固溶 1.3(a)所示,结构可以看做闪锌矿的变体,空间群 I-42d。位,四面体通过共顶点的形式连接形成连续扩展的三维结构 = c/2a 接近于 1。CuInSe2带隙 1.04 eV,CuGaSe2带隙 1.68 e比例,CuIn1-xGaxSe2的带隙在 1.04 1.68 eV 范围内连续变化隙。由于浅能级缺陷 Cu 空位容易形成,使得 CuIn1-xGaxSe2具度。

【参考文献】:
期刊论文
[1]Overview of deep space laser communication[J]. Weiren WU,Ming CHEN,Zhe ZHANG,Xiangnan LIU,Yuhui DONG.  Science China(Information Sciences). 2018(04)
[2]K2CdSnS4的溶剂热合成与晶体结构(英文)[J]. 白音孟和,刚刚,娜仁吉如嘎.  无机化学学报. 2014(02)



本文编号:3121375

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