[Fe 65 Co 35 /ZnO] n 多层膜的高频软磁性质

发布时间：2021-04-07 10:03

　　随着社会经济的快速发展,电子产品朝着微型化和高频化的方向发展。为了进一步满足磁性电子元器件的应用需求,我们用半导体材料取代先前的绝缘体材料分别在玻璃基底和硅基底上制备铁磁金属/半导体多层膜。本文中,我们利用直流和射频磁控溅射的方法,制备了[Fe65Co35/ZnO]n多层膜。而且还通过X射线衍射仪、高分辨率透射电镜、振动样品磁强计、直流四探针法以及矢量网络分析仪对样品的结构、微结构、电性和磁性进行了一系列的研究。具体研究结果如下:X射线衍射结果表明:随着半导体ZnO层厚度t的逐渐增加,ZnO的结晶度越来越好。金属颗粒的结构呈面心立方晶体的结构,并且Fe65Co35的颗粒尺寸从3.4 nm减小到2.7 nm。在倾斜溅射的[Fe65Co35/ZnO]50多层膜中,随着t的增加,样品的共振频率fr大约4 GHz并且几乎保持不变。这是由于氧化锌层厚度的增加使得薄膜的饱和磁化强度减小和动态各向异性场增加共同引起的。氧化锌层厚度t=3.5 nm的电阻率达到2420μΩ?cm,μ’2G和μ’3G逐渐减小但μ’2G仍大于90,而μ″2G却保持一个很低的值（<1.55）。因此,当外场的频率达到2 ... 

【文章来源】：天津大学天津市 211工程院校 985工程院校 教育部直属院校

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【学位级别】：硕士

【部分图文】：

铁磁性薄膜的部分应用

原子的排列是呈长程无序的，那么，材料的局域各向异性就过程中引起的一些局域应变或缺陷。当非晶体中颗粒间的相互异性的作用时，原子磁矩的取向就不再是沿着局域各向异性的空间围绕着一个宏观的有效各向异性的方向连续地改变取向。颗粒膜由于其自身的结构特点，限制了饱和磁化强度和电阻率阻率是通过增加绝缘体成分或半导体成分而获得，这样便会以为代价，使得传统的颗粒膜只能在导电逾渗阈值区域才会出现率[6]。为了可以在同一个样品同时获得既具有高饱和磁化强度膜，研究学者们通过构建多层膜复合结构、种子层以及元素掺度限制[9-11]。磁性金属/绝缘体多层膜中，绝缘层将金属层明确分构不仅能够有效地提高电阻率，还能保持一个相对高的饱和CoFe)–Si–O (6 nm)/Si–O(1 nm)多层膜与(CoFe)–Si–O 颗粒膜的比示。

图 1-3 Co/Si 多层膜我国厦门大学的研究小组在室温下通过直流磁控溅射制备了具有少量量的 FeNi–O[27-29]、FeCo–O[20]合金膜，结果显示：在没有加任何外部磁场情况下，只是在制备的过程中通入了少量氧气，金属合金膜也可以获得很磁性质和高频性质，如图 1-3 所示。不同氧气含量的Fe80Ni20–O薄膜具有很明显的面内单轴各向异性，饱和度几乎接近一个常量，静态磁导率以及铁磁共振频率与Landau–Lifshitz–GG)的计算结果一致。他们又利用Fe80Ni20-O的优异的软磁性质及高频性质[Fe80Ni20–O/SiO2]n[28]多层膜和[Fe80Ni20–O/TiO2]n[29]多层膜。通过比较这两

【参考文献】：
期刊论文
[1]Fe/Si多层膜的层间耦合与界面扩散[J]. 倪经,蔡建旺,赵见高,颜世申,梅良模,朱世富.  物理学报. 2004(11)



本文编号：3123296