TiB 2 /Si-Al电子封装复合材料的微观组织及其热物理性能的研究

发布时间：2021-04-09 19:55

　　本文利用金相、XRD、SEM等方法研究了利用原位反应喷射沉积成形及后续引入热等静压工艺后的TiB₂/Si-Al复合材料的微观组织结构、热导率及其热膨胀系数与相成分的相互关系。结果表明,原位引入的TiB₂颗粒大部分位于初生Si相内部且分布较均匀,初生Si相得到了显著细化且Si相尺寸均一。随着TiB₂颗粒数量增加,细化效果明显。随着Si含量的增加,TiB₂/Si-Al复合材料中Si相尺寸增大。热等静压处理后,TiB₂/Si-Al复合材料的致密度提高。应用P.G.模型（P.G.Klemens）、H-J模型（Hasselman-Johnson）与MEMA（Multiple-effective-medium-approximation model）模型研究了TiB₂/Si-Al复合材料的热导率随TiB₂颗粒与Si颗粒变化的情况。结果表明,TiB₂颗粒和Si颗粒含量的增加,复合材料的热导率数值下降。少量（1%²

【文章来源】：烟台大学山东省

【文章页数】：73 页

【学位级别】：硕士

【部分图文】：

电子封装材料结构的三个方面

术既可以用来生产各种金属、陶瓷、硬质合金除铸件、锻件的内部疏松和空洞和裂纹等缺陷进行热等静压修复。艺较复杂，设备投资较大，并且只对具有特殊越性。子封装材料的应用封装材料的应用总结为以下几个方面[45-48]：架和波导管喷射沉积成形硅-铝合金封装材料能板相匹配的热膨胀系数很好结合起来。架喷射沉积成形硅-铝合金封装能提供低的热性。

基础上[56,58]。图1.3为有效介质近似原理思路构建示意图。假设在基体材料中添加数量为n的球形增强颗粒，且颗粒的半径大小为a，电导率为 ，增强体颗粒处在半径为R且电导率为 的有限基体中。当在半径为r（r R）的范围施加电场，则球形颗粒的平均电势E为：= （1-2）式1-2中， 是径向矢量与施加电场方向之间的角度， 为描述外加电场场强的一个参数，β为一个相关参数，具体表达形式如式1-3： =m pp m （1-3）而球形颗粒的体积可以表示为式1-4： = （1-4）将式1-4其带入式1-3可以得到：图1


本文编号：3128220