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碳化硅及其复合材料的制备与电磁波吸收性能研究

发布时间:2021-04-18 11:56
  吸波材料不仅在军事领域具有特殊的战略地位,在民用上也日趋广泛。随着现代科技的飞速发展,各相关领域对吸波材料的要求不仅有“宽、薄、轻、强”,还有多频谱、高强度、耐高温、抗辐射等。碳化硅(SiC)作为吸波材料具有密度低、热膨胀系数小、强度高、耐化学腐蚀、抗氧化等优点,但其介电和吸波性能有待加强。本文以SiC纳米线、有机硅前驱体转化硅氧碳(PDCs-SiOC)复相陶瓷、SiC复合材料为对象,研究了几种材料的制备工艺、电磁性能、吸波性能以及能量损耗机制。本文利用含氢聚硅氧烷(H-PSO)和二乙烯基苯(DVB)或四甲基四乙烯基环四硅氧烷(D4)的交联体,通过气相沉积法在石墨等基体表面生长SiC纳米线。系统研究了反应温度、前驱体粒径、生长基体、聚合物成分、催化剂对SiC纳米线生长的影响,优化了 SiC纳米线的制备工艺。研究发现,温度和生长基体是影响SiC纳米线生长的关键因素,温度不低于1500℃的条件下在石墨基体表面制备出了结晶性高、纯度高、线形结构良好、产量高的SiC纳米线;石墨板表面的活性碳原子以及粗糙多孔的结构更容易促成SiC晶核的生成,进而提高SiC纳米线的产量。SiC纳米线丰富的缺陷偶极... 

【文章来源】:山东大学山东省 211工程院校 985工程院校 教育部直属院校

【文章页数】:213 页

【学位级别】:博士

【部分图文】:

碳化硅及其复合材料的制备与电磁波吸收性能研究


图1.2?(a)还原氧化石墨烯泡沫RGO;?(b)?ZnO纳米线;(c)?ZnO纳米线/RGO泡沫复合材料;(d)??ZnO纳米线/RGO泡沫的界面【521??Fig.?1.2?SEM?images?of?(a)?RGO?foam;?(b)?ZnOnWs;?(c)?ZnOnwS/RG〇?foam?composites;?(d)??interfaces?between?ZnOnws?and?RGO?foaml52]??

硅基陶瓷,聚合物前驱体,氮烷,微观结构模型


图1.5不同前驱体聚合物高温裂解陶瓷的微观结构模型t86]:??(a)聚碳硅焼;(b)聚硅氧烧;(c)聚硅氮烧;(d)聚硼硅氮烷??ig.?1.5?Microstructure?model?for?ceramic?derived?from?(a)?polycarbosilanes;?(b)?polysiloxanepolysilazane;?(d)?polyborosilazane?at?high?temperature^861??

微观结构模型,高温裂解,硅基陶瓷,聚合物前驱体


4M?*c*nU,??Poiysiiazanes?Polyslisesqulazanes??图1.4主要的硅基陶瓷聚合物前驱体???Fig.?1.4?Main?classes?of?Si-polymer?as?precursors?for?ceramics[78]??AW?A?〇'??喊獨?§〇、.吵??III鹽??_?SiC?Si3N4?turbostratic?C?pore??图1.5不同前驱体聚合物高温裂解陶瓷的微观结构模型t86]:??

【参考文献】:
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本文编号:3145431

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