水热法-高温煅烧处理制备Ni x Co 1-x MoO 4 纳米片阵列/泡沫Ni复合材料及其赝电容性能研究

发布时间：2021-04-28 18:58

　　采用水热法-高温煅烧处理制备Ni_xCo_1-xMoO₄（x=0、0.25、0.50、0.75和1.00）纳米片阵列,利用XRD、FESEM、循环伏安法和恒流充放电测试方法,分析其晶体结构、微观形貌和赝电容性能。研究表明:Ni_xCo_1-xMoO₄纳米片阵列的晶体结构和微观形貌与Ni的相对含量有关;其中,晶体结构为NiMoO₄物相的Ni_0.50Co_0.50MoO₄纳米片阵列显示出高的比电容、增强的循环稳定性和高倍率放电能力,是一种性能优异的赝电容材料。 

【文章来源】：浙江理工大学学报(自然科学版). 2016,35(06)

【文章页数】：6 页

【文章目录】：
0 引言
1 实验
    1.1 NixCo1-xMoO4纳米片阵列的制备
    1.2 样品的结构表征和电化学测试
2 结果与分析
    2.1 材料表征
        2.1.1 样品的XRD分析
        2.1.2 NixCo1-xMoO4的微观结构
    2.2 电化学测试性能
        2.2.1 循环伏安特性
        2.2.2 恒流充放电性能
3 结论


【参考文献】：
硕士论文
[1]在华马来西亚华裔留学生的跨文化敏感度研究[D]. 叶侨艳.浙江大学 2014



本文编号：3165999