电学性能不反常的本征GaAs基InSb异质外延研究

发布时间：2021-05-17 11:44

　　采用三步工艺进行了GaAs基InSb的异质外延生长并结合实验数据和文献资料研究了生长温度和速率、InSb层的厚度、低温缓冲层质量和双In源工艺对材料Hall电学性能等的影响。发现温度和生长速率对室温载流子迁移率和本征载流子浓度影响不太大;晶体XRD FWHM随膜厚的增加而逐渐地减小;低温缓冲层的界面质量和厚度对表面形貌具有一定的影响,低温缓冲层的界面厚度不应小于30 nm,ALE低温缓冲层的方法可以降低局部表面粗糙度;实验发现在优化的工艺参数基础上采用双In源生长工艺可以生长出电学性能不发生反常的理想本征InSb异质外延薄膜材料。获得2μm厚GaAs基InSb层在300 K和77 K的Hall迁移率分别为3.6546×10⁴ cm² V^-1 s^-1和7.9453×10⁴ cm² V^-1 s^-1,本征载流子迁移率和电子浓度随温度的变化符合理论公式的预期。 

【文章来源】：激光与红外. 2020,50(02)北大核心CSCD

【文章页数】：6 页

【文章目录】：
1 引 言
2 实 验
3 结果与讨论
    3.1 生长温度和速率对Hall电学性能的影响
    3.2 InSb层厚度对材料性能的影响
    3.3 InSb低温缓冲层质量对材料的影响
    3.4 双In源生长方法对InSb异质外延样品Hall电学性能的改进
4 结 论


【参考文献】：
期刊论文
[1]高质量InSb薄膜的MBE同质和异质外延生长[J]. 尚林涛,周翠,沈宝玉,周朋,刘铭,强宇,王彬.  激光与红外. 2018(03)
[2]ALE法对InSb/GaAs异质薄膜电学性能的改进[J]. 尚林涛,刘铭,周朋,邢伟荣,沈宝玉.  激光与红外. 2017(01)
[3]第三代红外探测器的发展与选择[J]. 史衍丽.  红外技术. 2013(01)



本文编号：3191706