SiC w -Co复合材料的制备及吸波性能的研究
发布时间：2021-06-10 16:19
为了改善SiC晶须的磁损耗性能,提高吸波性能,扩大其在科技、军事等领域的应用范围。本实验采用化学镀钴的方式制备SiCw-Co复合材料,选定化学镀溶液中硫酸钴的质量、化学镀的时间、化学镀的温度三个因素,设计了一个"三因素三水平"的正交实验,运用极差分析法讨论硫酸钴的质量、化学镀的时间和温度对SiCw-Co复合材料吸波性能的影响,最终得到制备SiCw-Co复合材料的最佳工艺。结果表明:在SiC晶须表面镀钴的最佳条件:化学镀溶液中硫酸钴的质量为8.0 g,化学镀时间为5 min,化学镀的温度为80℃。此时SiCw-Co复合材料的吸波性能最好,反射损失率最小为-20.12 dB,低于-10 dB的波段宽度约为3 GHz,同时具有一定的介电损耗和磁损耗能力。
【文章来源】：中国陶瓷. 2020,56(03)北大核心CSCD
【文章页数】：6 页
【图文】：
补充实验中材料的吸波性能
根据正交实验表里的9组正交实验的电磁性能测试结果，对样品的反射损失率随频率变化绘图，如图1所示，由图可知9组实验制得的试样的反射损失率曲线处于6～11 GHz的频率范围，说明了试样对电磁波均具有一定的吸收能力，但其程度大小不一。一般地，反射损失值达到-10 dB，就表示有高于90%的电磁波被材料所吸收，在图1中第1组、第7组和第9组的反射率均低于-10 dB，他们都具有优秀的吸波性能[14]。其中第9组实验制得的试样，其反射损失远远大于其他几组试样。将每组样品的各影响因素所对应的水平下的实验数值求和（K），然后将求和后的各个数值取平均值（k），最后再将所求平均值中的最大值与最小值做差，得到极差R。通过计算得到的反射率损失各因素极差结果如表2所示。
将正交实验表里的九组正交实验进行电磁性能的测试，对样品的磁损耗角正切加以分析。9组试验样品的磁损耗随频率变化的曲线，如图3所示。图3是9组试样的磁损耗随频率变化曲线，其主要吸收峰集中在频率为6～14 GHz的范围，说明试样均具有一定的磁损耗能力，其中第2组、第7组和第9组试样的磁损耗随频率变化曲线的几个主要吸收峰的tanδμ平均值分别为1.31、1.33、1.37，所在频段均较宽。这3组曲线的主要吸收峰的tanδμ平均值较大且频段较宽，可实现多频段吸收，所以从整体上来看，在这9组实验中，这3组实验的试样的整体性能要比其它几组的性能要好一些[15]。
【参考文献】：
期刊论文
[1]扫描电镜能谱仪谱峰鉴别方法[J]. 孙秋香,宋庆军,卢慧粉,李丹丹. 理化检验(物理分册). 2018(10)
[2]浅析未来航空隐身材料的发展趋势[J]. 苏一鸣. 中国战略新兴产业. 2017(48)
[3]碳系吸波材料研究现状及在建材中的应用展望[J]. 何亮,谭丹君,王鹏起,李珂亿. 中国材料进展. 2017(Z1)
[4]SiC晶须的制备及应用研究进展[J]. 彭富昌. 化学工程与装备. 2013(12)
[5]吸波材料的研究现状及其发展趋势[J]. 刘丹莉,刘平安,杨青松,唐国武,赵立英,曾凡聪. 材料导报. 2013(17)
[6]扫描电子显微镜原理及特点[J]. 武开业. 科技信息. 2010(29)
博士论文
[1]Fe基非晶合金薄膜复合材料制备及其吸波性能研究[D]. 周佳.南昌大学 2018
[2]碳基复合吸波材料的制备及性能研究[D]. 王雯.山东大学 2012
硕士论文
[1]Fe（Co/Ni/Zn）掺杂CeO2/RGO复合材料的制备及吸波性能研究[D]. 申子瑶.安徽理工大学 2018
[2]纳米SiO2、SiC、ZnFe2O4@C复合物的合成及吸波性能研究[D]. 侯艳辉.浙江师范大学 2018
[3]碳化硅和氮化硅纳米纤维的制备及其性能研究[D]. 陈洋.天津工业大学 2018
[4]CVD法生长SiC晶须研究[D]. 严东泉.电子科技大学 2006
本文编号：3222711
【文章来源】：中国陶瓷. 2020,56(03)北大核心CSCD
【文章页数】：6 页
【图文】：
补充实验中材料的吸波性能
根据正交实验表里的9组正交实验的电磁性能测试结果，对样品的反射损失率随频率变化绘图，如图1所示，由图可知9组实验制得的试样的反射损失率曲线处于6～11 GHz的频率范围，说明了试样对电磁波均具有一定的吸收能力，但其程度大小不一。一般地，反射损失值达到-10 dB，就表示有高于90%的电磁波被材料所吸收，在图1中第1组、第7组和第9组的反射率均低于-10 dB，他们都具有优秀的吸波性能[14]。其中第9组实验制得的试样，其反射损失远远大于其他几组试样。将每组样品的各影响因素所对应的水平下的实验数值求和（K），然后将求和后的各个数值取平均值（k），最后再将所求平均值中的最大值与最小值做差，得到极差R。通过计算得到的反射率损失各因素极差结果如表2所示。
将正交实验表里的九组正交实验进行电磁性能的测试，对样品的磁损耗角正切加以分析。9组试验样品的磁损耗随频率变化的曲线，如图3所示。图3是9组试样的磁损耗随频率变化曲线，其主要吸收峰集中在频率为6～14 GHz的范围，说明试样均具有一定的磁损耗能力，其中第2组、第7组和第9组试样的磁损耗随频率变化曲线的几个主要吸收峰的tanδμ平均值分别为1.31、1.33、1.37，所在频段均较宽。这3组曲线的主要吸收峰的tanδμ平均值较大且频段较宽，可实现多频段吸收，所以从整体上来看，在这9组实验中，这3组实验的试样的整体性能要比其它几组的性能要好一些[15]。
【参考文献】：
期刊论文
[1]扫描电镜能谱仪谱峰鉴别方法[J]. 孙秋香,宋庆军,卢慧粉,李丹丹. 理化检验(物理分册). 2018(10)
[2]浅析未来航空隐身材料的发展趋势[J]. 苏一鸣. 中国战略新兴产业. 2017(48)
[3]碳系吸波材料研究现状及在建材中的应用展望[J]. 何亮,谭丹君,王鹏起,李珂亿. 中国材料进展. 2017(Z1)
[4]SiC晶须的制备及应用研究进展[J]. 彭富昌. 化学工程与装备. 2013(12)
[5]吸波材料的研究现状及其发展趋势[J]. 刘丹莉,刘平安,杨青松,唐国武,赵立英,曾凡聪. 材料导报. 2013(17)
[6]扫描电子显微镜原理及特点[J]. 武开业. 科技信息. 2010(29)
博士论文
[1]Fe基非晶合金薄膜复合材料制备及其吸波性能研究[D]. 周佳.南昌大学 2018
[2]碳基复合吸波材料的制备及性能研究[D]. 王雯.山东大学 2012
硕士论文
[1]Fe（Co/Ni/Zn）掺杂CeO2/RGO复合材料的制备及吸波性能研究[D]. 申子瑶.安徽理工大学 2018
[2]纳米SiO2、SiC、ZnFe2O4@C复合物的合成及吸波性能研究[D]. 侯艳辉.浙江师范大学 2018
[3]碳化硅和氮化硅纳米纤维的制备及其性能研究[D]. 陈洋.天津工业大学 2018
[4]CVD法生长SiC晶须研究[D]. 严东泉.电子科技大学 2006
本文编号：3222711
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