掺杂对锗锑碲薄膜非晶—立方—六方相变、电学和光学性质的影响

发布时间：2021-06-20 08:05

　　硫系相变薄膜可以在非晶与结晶态之间快速且可逆地转变,并伴随着电学和光学性质的显著变化,人们利用这些性质将其应用在电学存储（如相变存储器）和光学存储（蓝光光盘、DVD和CD等）中。然而这些存储器仅利用了非晶与立方相之间的电学/光学差异实现了二级存储,难以满足大数据时代对高密度存储器的新要求。已有研究表明高温退火能够引发Ge₂Sb₂Te₅薄膜从非晶到立方再到六方相的二次相变。如果利用了非晶与立方相以及立方相与六方相之间的电学/光学差异,有望实现多级存储,大幅度提高存储密度。但仍存在以下问题:（1）对于电学存储来说:Ge₂Sb₂Te₅薄膜在非晶、立方相和六方相时分别呈现高电阻、中间电阻和低电阻三个状态,但中间电阻态的温度区间窄,电阻下降速率大,导致中间电阻态的控制十分困难,读取数据的分辨率很差。（2）对于光学存储来说:Ge₂Sb₂Te₅薄膜在非晶,立方相和六方相时分别呈现低反射、中间反射和高反射三... 

【文章来源】：吉林大学吉林省 211工程院校 985工程院校 教育部直属院校

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【学位级别】：硕士

【部分图文】：

GST薄膜随压强变化的Raman图谱

图 1.2 N 掺杂 GST 薄膜的 XRD 图谱[7]2 The XRD of N-GST film annealed at different tem 纯 GST 和 GSTC18%薄膜在不同退火温度下的 XR.3 The XRD of pure and GSTC18% films annealed

纯 GST 和 GSTC18%薄膜在不同退火温度下的 XRD.3 The XRD of pure and GSTC18% films annealed atemperatures[8].8]采用射频磁控溅射的方式在 SiO2/Si（100）衬底上制纯 GST 和 C-GST 薄膜，研究了不同退火温度对薄膜如图 1.3 所示。研究发现所有薄膜的初始结构都为非

【参考文献】：
期刊论文
[1]非平衡磁控溅射及其应用[J]. 董骐,范毓殿.  真空科学与技术. 1996(01)



本文编号：3238814