钛硅共晶复合钎料钎焊SiC陶瓷的工艺和机理研究
发布时间:2021-07-07 18:42
SiC陶瓷及其复合材料具有高强度、高硬度、高熔点、优异的抗辐照能力及化学稳定性等优点而被认为是航空航天和核工业等对材料要求极为苛刻领域的理想结构材料。然而,由于陶瓷材料极大的脆性及技术和设备的限制,很难直接成型加工制备出尺寸大或形状复杂的陶瓷部件,往往需要通过材料连接来实现。因此,SiC陶瓷及其复合材料连接技术是制约其工程应用的关键因素之一。针对SiC陶瓷钎焊接头高温领域的应用需求,本研究首先优化了具有熔点高、高温强度好且对SiC陶瓷润湿性良好的Si-24Ti(wt.%)共晶合金的钎焊工艺。在此基础上,通过在共晶合金中添加一定量的SiC、碳纳米管(CNT)和碳化硼(B4C)组成复合钎料并进行钎焊实验,系统研究了复合钎料中陶瓷增强相的形成及分布对SiC接头的微观组织和力学性能的影响,阐明了陶瓷增强相对接头的强化机制。本论文对于SiC陶瓷及其复合材料的工程应用具有重要的实用价值和理论意义。研究取得的主要成果如下:(1)使用由Si和TiSi2两相组成的Si-24Ti(wt.%)共晶钎料在1360-1400℃、10-30 min实现了SiC陶瓷的连接...
【文章来源】:合肥工业大学安徽省 211工程院校 教育部直属院校
【文章页数】:66 页
【学位级别】:硕士
【部分图文】:
SiC基体材料Fig.2.1SiCceramicmatrix
图 2.2 真空钨丝烧结炉Fig. 2.2 Vacuum tungsten wire sintering furnace结炉发热体是钨丝,可以避免碳的污染,适用于、合金等在高温真空下的物理化学性能测试。结炉主要由三个部分组成:控制柜,炉子腔体配技术精巧细致,占地面积小,操作简单,比较适达到 2000 ℃,冷态极限真空度可达到 6.67×10-iC 陶瓷基体制备、复合钎料制备、后续的试样测见表 2.2。制备制备 SiC 陶瓷是成正六边形,在钎焊前需要通过金刚 15 mm×15 mm×4 mm 的试样。之后,将切割好
图 2.3 压痕示意图Fig. 2.3 The schematic diagram of indentation度测试判材料承受剪切力的能力,指的是材料承受材料呈剪切作用时的强度极限。剪切强度能试验机加载,加载速度是 0.5 mm/min。剪m,剪切实验示意图如图 2.4。利用公式 =FS切强度;剪切力;与剪切力平行的截面面积。的 SiC 钎焊接头剪切强度需要测试四个剪
【参考文献】:
期刊论文
[1]微波加热催化反应低温制备β-SiC粉体[J]. 王军凯,张远卓,李俊怡,张海军,李发亮,韩磊,宋述鹏. 无机材料学报. 2017(07)
[2]SiC陶瓷真空钎焊接头显微组织和性能[J]. 冯广杰,李卓然,朱洪羽,徐慨. 材料工程. 2015(01)
[3]碳化硅陶瓷的应用现状[J]. 柴威,邓乾发,王羽寅,李振,袁巨龙. 轻工机械. 2012(04)
[4]碳化硅致密陶瓷材料研究进展[J]. 戴培赟,周平,王泌宝,李晓丽,杨建锋. 中国陶瓷. 2012(04)
[5]22Ti-78Si高温共晶钎料对SiC陶瓷的钎焊连接[J]. 李家科,刘磊,刘欣. 无机材料学报. 2011(12)
[6]先进结构陶瓷材料的研究进展[J]. 路学成,任莹. 佛山陶瓷. 2009(01)
[7]陶瓷-金属焊接的方法与技术[J]. 钱耀川,丁华东,傅苏黎. 材料导报. 2005(11)
[8]结构陶瓷的现状与发展[J]. 陈志刚,陈采凤. 江苏陶瓷. 2005(01)
[9]SiC基材料自身及其与金属的连接[J]. 李树杰,张利. 粉末冶金技术. 2004(02)
[10]先进陶瓷材料的研究现状与发展趋势[J]. 叶宏明,叶国珍. 今日科技. 2002(10)
硕士论文
[1]碳化硅陶瓷复合装甲的制备与研究[D]. 童鹤.南京理工大学 2012
[2]TiB2陶瓷与金属的SHS反应焊接[D]. 何代华.武汉理工大学 2002
本文编号:3270163
【文章来源】:合肥工业大学安徽省 211工程院校 教育部直属院校
【文章页数】:66 页
【学位级别】:硕士
【部分图文】:
SiC基体材料Fig.2.1SiCceramicmatrix
图 2.2 真空钨丝烧结炉Fig. 2.2 Vacuum tungsten wire sintering furnace结炉发热体是钨丝,可以避免碳的污染,适用于、合金等在高温真空下的物理化学性能测试。结炉主要由三个部分组成:控制柜,炉子腔体配技术精巧细致,占地面积小,操作简单,比较适达到 2000 ℃,冷态极限真空度可达到 6.67×10-iC 陶瓷基体制备、复合钎料制备、后续的试样测见表 2.2。制备制备 SiC 陶瓷是成正六边形,在钎焊前需要通过金刚 15 mm×15 mm×4 mm 的试样。之后,将切割好
图 2.3 压痕示意图Fig. 2.3 The schematic diagram of indentation度测试判材料承受剪切力的能力,指的是材料承受材料呈剪切作用时的强度极限。剪切强度能试验机加载,加载速度是 0.5 mm/min。剪m,剪切实验示意图如图 2.4。利用公式 =FS切强度;剪切力;与剪切力平行的截面面积。的 SiC 钎焊接头剪切强度需要测试四个剪
【参考文献】:
期刊论文
[1]微波加热催化反应低温制备β-SiC粉体[J]. 王军凯,张远卓,李俊怡,张海军,李发亮,韩磊,宋述鹏. 无机材料学报. 2017(07)
[2]SiC陶瓷真空钎焊接头显微组织和性能[J]. 冯广杰,李卓然,朱洪羽,徐慨. 材料工程. 2015(01)
[3]碳化硅陶瓷的应用现状[J]. 柴威,邓乾发,王羽寅,李振,袁巨龙. 轻工机械. 2012(04)
[4]碳化硅致密陶瓷材料研究进展[J]. 戴培赟,周平,王泌宝,李晓丽,杨建锋. 中国陶瓷. 2012(04)
[5]22Ti-78Si高温共晶钎料对SiC陶瓷的钎焊连接[J]. 李家科,刘磊,刘欣. 无机材料学报. 2011(12)
[6]先进结构陶瓷材料的研究进展[J]. 路学成,任莹. 佛山陶瓷. 2009(01)
[7]陶瓷-金属焊接的方法与技术[J]. 钱耀川,丁华东,傅苏黎. 材料导报. 2005(11)
[8]结构陶瓷的现状与发展[J]. 陈志刚,陈采凤. 江苏陶瓷. 2005(01)
[9]SiC基材料自身及其与金属的连接[J]. 李树杰,张利. 粉末冶金技术. 2004(02)
[10]先进陶瓷材料的研究现状与发展趋势[J]. 叶宏明,叶国珍. 今日科技. 2002(10)
硕士论文
[1]碳化硅陶瓷复合装甲的制备与研究[D]. 童鹤.南京理工大学 2012
[2]TiB2陶瓷与金属的SHS反应焊接[D]. 何代华.武汉理工大学 2002
本文编号:3270163
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