Mg掺杂Cu 2 ZnSnS 4 的第一性原理研究（英文）
发布时间：2021-07-14 07:07
采用基于密度泛函理论（DFT）的第一性原理对光伏材料Cu2ZnSnS4 （CZTS）掺Mg进行了研究。通过建立Mg取代CZTS中Cu、Zn和Sn的点缺陷结构,计算Mg掺杂缺陷的生成能及对CZTS电子结构的影响。计算结果表明掺Mg不引入深能级缺陷也不改变材料的禁带宽度;并且富Sn条件更有利于Mg取代Cu形成施主缺陷,使p型转变为n型。本研究可为CZTS太阳能电池掺Mg的应用研究提供理论基础。
【文章来源】：无机材料学报. 2020,35(11)北大核心EISCICSCD
【文章页数】：5 页
【文章目录】：
1 Computational details
2 Results and discussion
3 Conclusions
【参考文献】：
期刊论文
[1]First principles calculation of the electronic-optical properties of Cu2MgSn(SxSe1-x)4[J]. 孙顶,丁彦妍,孔令炜,王凌群,丁柏秀,张玉红,魏立明,张力,张立新. Optoelectronics Letters. 2020(01)
本文编号：3283672
【文章来源】：无机材料学报. 2020,35(11)北大核心EISCICSCD
【文章页数】：5 页
【文章目录】：
1 Computational details
2 Results and discussion
3 Conclusions
【参考文献】：
期刊论文
[1]First principles calculation of the electronic-optical properties of Cu2MgSn(SxSe1-x)4[J]. 孙顶,丁彦妍,孔令炜,王凌群,丁柏秀,张玉红,魏立明,张力,张立新. Optoelectronics Letters. 2020(01)
本文编号：3283672
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