热退火处理对AuGeNi/n-AlGaInP欧姆接触性能的影响
发布时间：2021-07-23 01:39
本文在n-(Al0.27Ga0.73)0.5In0.5P表面通过电子束蒸发Ni/Au/Ge/Ni/Au叠层金属并优化退火工艺成功制备了具有较低接触电阻的欧姆接触,其比接触电阻率在445℃退火600 s时达到1.4×10–4 W·cm2.二次离子质谱仪测试表明,叠层金属Ni/Au/Ge/Ni/Au与n-Al Ga In P界面发生固相反应, Ga, In原子由于热分解发生外扩散并在晶格中留下Ⅲ族空位.本文把欧姆接触形成的原因归结为Ge原子内扩散占据Ga空位和In空位作为施主提高N型掺杂浓度.优化退火工艺对低掺杂浓度n-(Al0.27Ga0.73)0.5In0.5P的欧姆接触性能有显著改善效果,但随着n-(Al0.27Ga0.73)0.5In0.5P掺杂浓度提高,比接触电阻率与退火工艺没有明显关系.本文为n面出光的Al Ga In...
【文章来源】：物理学报. 2020,69(04)北大核心EISCICSCD
【文章页数】：8 页
【参考文献】：
期刊论文
[1]牺牲Ni退火对硅衬底GaN基发光二极管p型接触影响的研究[J]. 王光绪,陶喜霞,熊传兵,刘军林,封飞飞,张萌,江风益. 物理学报. 2011(07)
本文编号：3298325
【文章来源】：物理学报. 2020,69(04)北大核心EISCICSCD
【文章页数】：8 页
【参考文献】：
期刊论文
[1]牺牲Ni退火对硅衬底GaN基发光二极管p型接触影响的研究[J]. 王光绪,陶喜霞,熊传兵,刘军林,封飞飞,张萌,江风益. 物理学报. 2011(07)
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