氧化镓薄膜掺杂的理论及实验研究

发布时间：2021-07-27 21:38

　　Ga₂O₃是一种很重要的宽禁带半导体材料,它有很好的热稳定性,且击穿电压高,电子漂移速度大。因此,Ga₂O₃成功地被应用于MESFET,MOSFET,SBD等功率器件中。另外,在紫外光电器件,半导体激光器和太阳能电池等方面,Ga₂O₃也是一种很有应用前景的材料。为了实现高灵敏度且波长可调的光电探测器,且发挥Ga₂O₃的宽禁带特性,研究者们通过掺铝成功提高了Ga₂O₃薄膜的禁带宽度。本征缺陷在材料的特性上起了重要作用,然而并未有人结合本征缺陷系统地从理论上研究过Al掺杂Ga₂O₃。另外,由于Ga₂O₃中本征缺陷特别是氧空位的存在,本征Ga₂O₃通常呈现n型,而高载流子浓度的高质量的p型Ga₂O₃的发... 

【文章来源】：西安电子科技大学陕西省 211工程院校 教育部直属院校

【文章页数】：77 页

【学位级别】：硕士

【部分图文】：

Ga2O3的晶胞模型

第二章 理论与实验研究方法介绍9图2.1 原子力显微镜原理示意图(2) X 射线衍射(XRD)X 射线衍射(XRD)是一种表征半导体结构特性的技术，通过对 XRD 图谱的衍射峰位置，峰强，半高宽等信息进行研究，根据 PDF 卡片，可以得到晶体的组分信息和结构信息，如结晶情况，晶面取向，晶粒大小等。该技术的原理如图 2.2 所示：入射到相邻两原子面的 X 射线，被原子面反射后，其光程差是波长的整数倍，则干涉加强，相应的布拉格公式为：2d sin n (2-1)其中，d 是晶面间距

图2.2 XRD 原理图曼光谱(Raman)束光照到样品表面，会发生反射，折射，散射，吸收等现象。其中，过不均匀介质时，部分光子与介质发生碰撞改变了传播方向。散射有性散射之分，其中非弹性散射有能量的交换。非弹性散射也分两种，比入射光变化很小（约 0.1cm-1）,则称为布里渊散射；若变化很大，于拉曼散射，研究者们可以在研究分子结构中应用拉曼光谱分析法光谱与入射光谱，得到分子结构相关信息。致发光谱(PL)发光(PL)指的是光激发了材料使得材料发光的现象。于半导体而言，于或大于禁带宽度时，会激发价带电子向导带跃迁。又或者禁带中有能级上的电子跃迁到导带。因此，这个辐射发射的过程既可以显示能级，杂质能级等信息，从而鉴定材料的质量，也可反映材料内部

【参考文献】：
博士论文
[1]Beta-氧化镓异质外延薄膜的制备及特性研究[D]. 弭伟.山东大学 2014
[2]4H-SiC功率UMOSFETs的设计与关键技术研究[D]. 宋庆文.西安电子科技大学 2012

硕士论文
[1]Ga2O3薄膜的磁控溅射制备及其性能研究[D]. 黄耀庭.北京邮电大学 2014



本文编号：3306588